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CTIMES / 力旺電子
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從單一控制到整合應用──淺論晶片組的發展歷程

高度整合的晶片組不過是這幾年才發生的事,如果說CPU是電腦的腦部,Chipsets就可算是電腦的心臟了。
力旺電子NeoMTP成功導入格芯130nm BCDLite及BCD製程平台 (2018.12.17)
力旺電子今日宣佈,其嵌入式可多次編寫(MTP)記憶體矽智財NeoMTP已成功導入格芯130nm BCD與BCDLite製程平台,專攻消費性及車用市場,以及日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求
力旺電子將於TSMC 7nm製程推出安全防護功能更強的記憶體IP (2018.04.27)
力旺電子今天宣布其安全記憶體矽智財NeoFuse已成功在台積高階製程平台完成驗證,並即將在台積7nm製程推出更多安全防護功能,提供人工智慧(AI)結合物聯網(IoT)的AIoT和高階車用晶片最根本的資安保護
力旺電子和Europractice合作協助歐洲IC產業創新 (2018.04.02)
力旺電子和歐洲頂尖奈米電子研究機構IMEC今天宣布一項合作計畫,將力旺的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)矽智財提供給歐洲學術界和新創公司使用。這項合作計畫將有助IMEC促進歐洲IC產業創新,也將進一步擴大力旺矽智財在歐洲的滲透率
力旺電子推出最新車規嵌入式EEPROM IP編寫次數達50萬次以上 (2017.10.25)
力旺電子最新推出編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可複寫唯讀記憶體)矽智財(Silicon IP),符合高溫、耐用及生命週期長的車規標準,為力旺在車用電子市場的最新佈局
力旺電子為物聯網應用推出超低功耗MTP矽智財 (2015.06.08)
力旺電子宣佈,其新開發之超低功耗多次可程式(Multiple-Time Programmable,MTP)矽智財具有3uW以下低讀取功耗、0.7 V低讀取電壓、10萬次以上多次存取、尺寸微小與優異的成本優勢
力旺電子NeoFuse技術於16nm FinFET成功完成驗證 (2015.05.06)
力旺電子宣佈,其單次可程式(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)製程平台成功完成驗證,並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用
晶心與力旺共推晶片安全防護解決方案 (2015.03.30)
隨著物聯網的快速發展,使得各種系統與電子產品資料透過網路緊密相連,在使用者對資料安全與保護機制的高度重視下,激發相關晶片安全防護解決方案的強烈需求。著眼物聯網市場之發展趨勢
力旺80奈米高電壓製程驗證成功 搶攻智慧手機市場 (2011.06.15)
力旺電子近日宣佈,其單次可程式記憶體矽智財NeoBit,已於台灣一線晶圓代工廠80奈米12吋晶圓廠完成可靠度驗證,並已成功導入客戶產品試產,未來將應用於下一世代智慧型手機之高畫質顯示驅動晶片(Display Driver ICs)
力旺電子NeoFlash搶搭觸控與節能熱潮 (2011.04.06)
力旺電子於日前宣布,其嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash除可廣泛使用於MCU、消費性電子產品外,近期內已成功實現於觸控晶片與電池容量偵測晶片廠商產品上,提供具成本優勢之嵌入式快閃記憶體解決方案
力旺NeoFlash提供可靠的車規嵌入式快閃記憶體 (2010.12.22)
力旺電子近日宣佈,繼推出車規NeoBit OTP之後,力旺電子凝聚創新開發續航力,嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash亦於技術上大幅躍進,應用範圍自消費性電子如觸控面板(Touch Panel)、微控制器(MCU)、無線射頻識別(RFID)等產品
力旺電子新技術可協助IC設計業降低30%成本 (2010.11.18)
力旺電子近日宣佈,該公司近期開發的嵌入式非揮發性記憶體創新技術,可協助IC設計公司降低設計與製造成本近30%,為台灣IC設計產業提供創新成本解決方案,更有利於各電子廠商搶攻正在快速成長的中國大陸消費電子產品市場
力旺Neobit技術率先導入於車規 IC製程平台 (2010.07.28)
嵌入式非揮發性記憶體廠商力旺電子宣佈,其Neobit技術已率先導入於0.25微米車規IC製程平台,並已於2010年Q2完成可靠度驗證,成功自工規領域邁進車規市場,未來更將強化與晶圓代工夥伴間之策略聯盟
力旺發表嶄新0.18微米綠能高容量OTP解決方案 (2010.07.08)
力旺電子日前結合當今綠色環保之產業趨勢,以0.18微米製程為基礎,推出3.3V 綠能高容量(Green High Density)OTP(One Time Programmable)解決方案,獨特之技術將可協助客戶降低近30%之製造成本與資源耗費
力旺與韓商美格納合作建構0.11um之NVM製程平台 (2010.03.11)
力旺電子(eMemory)與韓商美格納(MagnaChip)昨日(3/10)宣佈,由力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體技術,已建構於美格納0.11um 高壓先進製程平台,並將於2010年Q1進入量產
力旺推出新一代OTP低成本量產解決方案 (2009.05.21)
嵌入式非揮發性記憶體矽智財廠商力旺電子因應量產客戶需求,於日前推出獨家新型OTP低成本量產解決方案NeoROM,有效降低大量量產成本。此方案能夠依據不同產品需求與應用領域之特質,讓使用者搭配組合適用的量產模式,同時兼顧驗證時的彈性與測試成本,建構更具效率的測試、量產與庫存管理,使量產顧客受惠更深
力旺0.13微米OTP推廣於LCD驅動晶片進入量產 (2008.11.27)
力旺電子宣佈,0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性記憶體技術在台積電進入量產,成功將邏輯製程及高壓製程之嵌入式非揮發性記憶體技術推進到更先進製程領域。經由客戶的優先採用
力旺電子獲「產業科技獎」及「國家發明貢獻獎」 (2008.10.07)
力旺電子獲經濟部「產業科技發展獎」之優等創新企業獎,及經濟部智慧財產局「97年國家發明創作獎」之貢獻獎雙料獎項。 力旺電子是目前台灣唯一專注以矽智財對全球授權且獲利成長的公司
力旺與美格納合作量產可修改嵌入式記憶體 (2008.02.19)
力旺電子與半導體製造廠商美格納(MagnaChip)共同宣佈,力旺獲專利的非揮發性電性可修改(Neobit)嵌入式記憶體,已可於MagnaChip 0.18微米CMOS邏輯製程上提供量產。該技術不只應用在CMOS邏輯製程,還可以應用在高壓製程上
力旺推出高電壓製程OTP提昇晶片良率與性能 (2006.07.18)
力旺電子完成0.15微米高電壓製程之Neobit矽智財的技術開發;在達成此項里程碑後,力旺電子的嵌入式非揮發性記憶體Neobit矽智財已廣泛地建置於元件製造整合廠(IDM)與晶圓代工廠高壓製程平台之上,其涵蓋了0.6微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.22微米、0.18微米與0.15微米的製程技術
快閃記憶卡市場蓬勃 業者致力提昇產品附加價值 (2004.06.07)
國際快閃記憶體市調機構Web-Feet估計,全球SD/MMC快閃記憶卡銷售量到2007年時將突破2億片。看準這生機蓬勃的市場,力旺電子應用自行開發之OTP技術,設計出可邏輯製程的記憶卡控制晶片

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