CTIMES - 力旺電子

力旺推出新一代OTP低成本量產解決方案 (2009.05.21)
嵌入式非揮發性記憶體矽智財廠商力旺電子因應量產客戶需求，於日前推出獨家新型OTP低成本量產解決方案NeoROM，有效降低大量量產成本。此方案能夠依據不同產品需求與應用領域之特質，讓使用者搭配組合適用的量產模式，同時兼顧驗證時的彈性與測試成本，建構更具效率的測試、量產與庫存管理，使量產顧客受惠更深

力旺0.13微米OTP推廣於LCD驅動晶片進入量產 (2008.11.27)
力旺電子宣佈，0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性記憶體技術在台積電進入量產，成功將邏輯製程及高壓製程之嵌入式非揮發性記憶體技術推進到更先進製程領域。經由客戶的優先採用

力旺電子獲「產業科技獎」及「國家發明貢獻獎」 (2008.10.07)
力旺電子獲經濟部「產業科技發展獎」之優等創新企業獎，及經濟部智慧財產局「97年國家發明創作獎」之貢獻獎雙料獎項。力旺電子是目前台灣唯一專注以矽智財對全球授權且獲利成長的公司

力旺與美格納合作量產可修改嵌入式記憶體 (2008.02.19)
力旺電子與半導體製造廠商美格納(MagnaChip)共同宣佈，力旺獲專利的非揮發性電性可修改(Neobit)嵌入式記憶體，已可於MagnaChip 0.18微米CMOS邏輯製程上提供量產。該技術不只應用在CMOS邏輯製程，還可以應用在高壓製程上

力旺推出高電壓製程OTP提昇晶片良率與性能 (2006.07.18)
力旺電子完成0.15微米高電壓製程之Neobit矽智財的技術開發；在達成此項里程碑後，力旺電子的嵌入式非揮發性記憶體Neobit矽智財已廣泛地建置於元件製造整合廠(IDM)與晶圓代工廠高壓製程平台之上，其涵蓋了0.6微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.22微米、0.18微米與0.15微米的製程技術

快閃記憶卡市場蓬勃　業者致力提昇產品附加價值 (2004.06.07)
國際快閃記憶體市調機構Web-Feet估計，全球SD/MMC快閃記憶卡銷售量到2007年時將突破2億片。看準這生機蓬勃的市場，力旺電子應用自行開發之OTP技術，設計出可邏輯製程的記憶卡控制晶片

力旺開發Neobit Fuse元件並積極佈局歐美市場 (2003.10.09)
力旺電子近日表示該公司繼本年度第二季正式推出Neobit邏輯製程可程式嵌入式記憶體技術，全力搶攻微控器（MCU）市場應用需求，力旺電子積極挺進非微控器領域，並與晶圓代工廠策略合作夥伴共同佈局歐美市場

力旺推出Neobit IP (2003.04.22)
力旺電子(EMTC)日前推出Neobit矽智財。Neobit可取代目前ROM code、EPROM/Flash在微控器上的應用，由於Neobit可在晶片製作完成，測試或構裝完之後再進行可程式之動作，而ROM則必須在晶片製作完成之前即要把程式碼寫入

半導體廠商積極搶攻Flash市場 (2000.07.14)
快閃記憶體(Flash Memory)市場成長潛力驚人，根據分析機構的預估，快閃記憶體全球產值在1998年為25億美元，預估至今年有機會達到100億美元，2年產值躍升3倍。國內半導體業者除了華邦、旺宏積極投入外