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CTIMES / Vishay
科技
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微軟的崛起

微軟於1975年,由比爾蓋茲和好友保羅艾倫共同成立,1981年,比爾蓋茲完成的MS-DOS 第一版與IBM生產的第一部個人電腦同步推出,藉由MS-DOS的成功,微軟陸續推出了很多廣受歡迎的軟體,除了注重產品間的相容性,也在軟體開發上重視長期目標的策略, 這就是微軟能持續保有市場的原因。
威世科技新型IHLP電感具有耐高溫性能 (2017.05.26)
威世科技(Vishay Intertechnology) 推出了一款新型 IHLP超薄、高電流電感,可在攝氏+155度高?下運作,外形尺寸為 1616,厚度僅為 2 mm,適合用於在極端環境下運作的商業與工業應用
大聯大世平集團推出適用於智慧家居的智慧感測器解決方案 (2016.04.19)
致力於亞太區市場的半導體零組件通路商大聯大控股宣佈,旗下世平集團將推出8款適用於智慧型家居的智慧感測器解決方案,產品線包括恩智浦半導體(NXP Semiconductors), TI和Vishay
威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封裝 (2015.08.04)
威世科技(VISHAY)推出新款 8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封裝,旨在針對汽車應用常用的 D2PAK 及 DPAK 器件提供節省空間又節能的高電流替代方案。威世 Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率 MOSFET 是業界首款通過 AEC-Q101 認證且尺寸為 8 mm x 8 mm 的 MOSFET,也是首款採用海鷗腳引線,來消除機械應力的 8 mm x 8 mm 封裝
威世科技VRPower整合DrMOS提供多相於高功率密度調節器POL (2014.12.25)
威世科技(Vishay)推出新型VRPower整合型DrMOS功率級解決方案,提供三種PowerPAK封裝尺寸,以應對高功率高效率多相POL應用領域。威世Siliconix SiC789與SiC788採用MLP66-40L封裝,為Intel 4.0 DrMOS 標準(6 mm x 6 mm)腳位,而SiC620及SiC620R則採用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封裝,SiC521則是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封裝
威世新型高分子鉭電容器提供極低ESR效能 (2014.12.24)
威世科技(Vishay)推出全新的vPolyTan系列,表面封裝高分子鉭電容器,該系列電容器具有五種極密外殼尺寸。威世 Polytech T55系列專為電腦、電信及工業應用而優化,裝置的 ESR 極低
Vishay多款新型IGBT模組適用於太陽能逆變器與UPS (2014.12.22)
此類可擴充元件採用 EMIPAK 封裝,適用於 NPC 架構、3-level inverter (逆變器)及多組升壓轉換器 威世(Vishay)科技近期推出四款新型 IGBT 電源模組,此四款電源模組,專用於太陽能串列逆變器及中階功率不斷電電源供應器(UPS)等架構
威世科技推出新型高壓薄膜電阻分壓器網絡 (2014.10.17)
威世科技(Vishay)推出新款高壓薄膜表面貼裝式電阻分壓網絡,為客戶提供了緊湊型高精度產品,能夠替代功能相當的基於厚膜技術的產品。 威世新型達勒電膜產品HVRD具下列特點:絕對公差1 %、公差比率 0.1 %、絕對TCR低至正負50 ppm/°C、TCR追蹤至正負10 ppm/°C
威世科技MC AT專業車用電阻通過AEC-Q200認證 (2014.10.16)
為滿足對 AEC-Q200 認證組件的不斷增長的需求,威世科技(Vishay)宣布 MC AT 轉業系列車用薄膜晶片電阻目前在整個阻值範圍內皆通過AEC-Q200認證。威世貝士拉格裝置專為汽車及工業應用的嚴苛環境條件而設計,能在此類環境下穩定運作,+175 °C的高溫性能可長達1000小時
Vishay推出全新表面黏著鋁質電容 溫度特性佳與低組抗特性 (2013.02.19)
Vishay Intertechnology公司近期宣布了新系列表面表面黏著鋁質電容,它結合了高的工作溫度範圍達+ 150°C,和非常低的阻抗,且使用壽命長。為了提高加工的靈活性,日前,Vishay BCcomponents 160 CLA的特性滿足嚴格的IPC / JEDEC的J-STD-020焊接回流條件
Vishay推出新型空心軸及蒸汽閥位置傳感器 (2009.03.21)
Vishay推出新型空心軸及蒸汽閥位置傳感器981 HE,該傳感器採用霍爾效應技術,適合應用於惡劣環境中。新款981 HE可在高頻率震動高達50G,運作溫度範圍為-45℃到+125℃之間,可作為航海、起重機、汽車應用中的踏板位置傳感器、傾斜控制與定位等位置傳感器
Vishay發表新型20V P通道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay發表採用其新型p通道TrenchFET第三代技術的首款元件,該20V p通道MOSFET採用SO-8封裝,具最低的導通電阻。 新型Si7137DP具有1.9mΩ(在10V時)、2.5mΩ(在4.5V時)和3.9mΩ(在 2.5V時)的超低導通電阻
Vishay推出改良式高精度箔捲繞表面貼裝電阻 (2009.03.03)
Vishay日前推出經改良的VSMP0603高精度BMZF箔卷繞表面貼裝電阻,該器件額定功率增至0.1 W且電阻值高達5kΩ。該元件為採用0603晶片尺寸的產品,當溫度範圍在-55°C至+125°C(參考溫度為+25°C)時,可提供±0.2 ppm/°C的軍用級絕對TCR、±0.01%的容差以及1納秒的快速響應時間,且無振鈴
Vishay發佈其第七代通用高壓電源模組系列 (2009.02.27)
Vishay發佈其第七代通用高壓電源模組系列。第七代模組均採用與TO-240AA相容的ADD-A-PAK 封裝,將兩個有源元件整入各系列,並包括標準二極體、可控矽/二極體、可控矽/可控矽及肖特基整流器組合
Vishay推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器 (2009.02.16)
Vishay宣佈推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器,這些器件為設計人員提供了多種直徑和電容值選擇,其額定電壓為10kVDC~40kVDC。 憑藉低交流與直流係數,以及可忽略的壓電/電致伸縮效應,Vishay Cera-Mite 715CxxKT系列可專用於具有高峰值電流及高重複率的電路
Vishay推出新款光電二極體環境光感測器 (2009.02.13)
Vishay推出採用0805尺寸小型表面貼裝封裝、厚度為0.85 mm及簡單兩引腳連接的光電二極體環境光感測器,從而擴展了其光電產品系列。新型TEMD6200FX01以類似人眼的方式回應燈光,從而可自動控制LCD亮度和按鍵區的背光,並可實現諸多高級汽車駕駛方面舒適及安全的功能
Vishay推出新型Bulk Metal Z箔電阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔電阻E102Z。該款電阻可在-55°C到+125°C的溫度範圍內提供達軍品級標準的絕對TCR值(±0.2 ppm/°C),容差為±0.005%(50 ppm),在+70ºC下工作2000小時的負載壽命穩定性達到±0.005%(50 ppm)
Vishay宣佈推出首款帶翼式超薄、大電流電感器 (2009.02.05)
Vishay宣佈推出首款帶翼式超薄、大電流電感器。IHLW-5050CE-01旨在用於保險(cut-out)PCB 上,通過使用較大部件可為設計人員提供大電流解決方案,而在電路兩板側的厚度不超過1.2 mm
Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣佈推出首款採用MICRO FOOT晶片級封裝的TrenchFET功率MOSFET,該器件具有背面絕緣的特點。 Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智慧型電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化
Vishay推出新系列低抗阻鋁電容器 (2009.02.02)
Vishay宣佈推出新系列徑向鋁電容器,此系列元件具有極低的抗阻值、高電容及高紋波電流,並可運作於高達+125℃的高溫。146 RTI元件可採用13種封裝尺寸,以10㎜×12㎜至較大的18㎜×35㎜
vishay推出超小型表面貼裝紅外接收器系列 (2009.01.23)
Vishay推出用於遙控系統的新型超小型表面貼裝(SMD)紅外接收器系列,從而拓寬了其光電子產品系列。TSOP75xxx系列器件具有0.15 mW/sqm的典型輻照度、在3.3 V時0.35 mA的超低電流、側視型的厚度僅為3.0 mm及極佳敏感度/尺寸比

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