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Vishay推出具長使用壽命的小型面板電位計 (2008.01.21)
Vishay宣佈推出具有長久使用壽命的最新小型面板電位計，該器件具有2W的高額定功率、低溫度係數及高工作扭矩。標準面板電位計的壽命為100,000個週期，而P30L具有100萬個週期的長久使用壽命 |
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Vishay推出新型首款ESD單線路保護二極體 (2008.01.21)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出業界首款具有1.5pF低電容且採用新型LLP1006封裝的ESD單線路保護二極體。
憑借0.6毫米×1.0毫米的占位面積以及0.38毫米的超薄濃度，BUS051BD-HD1可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業及醫療應用的電子設備中節省板面空間，以及提供ESD保護 |
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Vishay 3V紅外接收器系列具高靈敏度 (2008.01.14)
Vishay宣佈利用可在光線較低的情況下將元件靈敏度提高一倍的新一代IC升級其3V紅外接收器的性能。該IC是IR接收器性能的主要決定因素之一，此外還有光電二極體及光封裝本身 |
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Vishay推新高壓單、雙電源單刀雙擲類比開關 (2008.01.14)
Vishay推出兩款新型高壓單、雙電源單刀雙擲(SPDT)類比開關。DG469與DG470器件是相同的，不同之處是DG470帶有啟動引腳，該引腳可將所有開關置於高阻抗狀態，從而在啟動時可保持“安全狀態”並可防止意外信號或電源短路 |
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Vishay推出新型SiP21301 LDO控制器 (2008.01.07)
Vishay推出具有可調及固定輸出電壓選擇的LDO控制器，該器件採用n通道MOSFET，可在高達7A的極高電流情況下提供不到50mV的超低壓降。
SiP21301器件已進行了優化，可驅動n通道MOSFET，以便為遊戲機、機頂盒、液晶電視及網路設備中的FPGA、ASIC及 ASSP供電 |
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Vishay發表200-V、TMBS槽沟式肖特基整流器 (2007.12.20)
Vishay發表業界首款200-V、30-A雙路高壓TMBS槽沟式肖特基整流器，為同步整流解決方案提供一低成本之替代方案。V30200C提供許多超越平面肖特基整流器之優點。當操作電壓達到100 V及更高時 |
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Vishay產品現可由Digi-Key供貨 (2007.12.19)
Vishay Intertechnology, Inc.與Digi-Key Corporation宣佈，Vishay的延伸性半導體產品，包括MOSFET、二極體、整流器、RF電晶體、光電及選擇性IC目前已可透過Digi-Key供貨。藉由此新產品陣容強化，Digi-Key現已負責經銷Vishay的半導體及被動元件全系列產品 |
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Vishay推出尺寸09的新型單匝襯套位置感測器 (2007.11.19)
Vishay宣佈推出尺寸為09（22.2mm）的新型單匝、襯套位置感測器，該器件採用霍爾效應技術，面向惡劣環境中的應用。
新型351 HE的霍爾效應技術使其能夠在高達20G的高頻率振動、高達50G的衝擊條件下在–45°C～+125°C的溫度範圍內工作，因此其具有比其他技術更勝一籌的強大優勢 |
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Vishay宣佈推出Vishay FCSP FlipKY系列晶片 (2007.11.16)
Vishay宣佈推出的Vishay FCSP FlipKY系列包含0.5A、1.0A及1.5A器件，這些器件的占位面積為0.9mm×1.2mm及1.5mm×1.5mm。
憑藉0.6mm（1A器件）及0.5mm（0.5A器件）的超薄厚度，Vishay FlipKY晶片級肖特基二極體可節省手機、藍牙附件、PDA、MP3播放器、數碼相機、個人視頻播放器及其他需要超薄器件的可擕式電子系統的空間 |
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Vishay新型環形高溫電感器可選擇垂直及水準安裝 (2007.11.15)
Vishay宣佈推出新型環形高電流高溫電感器系列中的首款器件，該器件具有高額定電流及飽和電流及極低的DCR。
憑藉+200°C的額定工作溫度以及可減少EMI的環形設計，新型TJ5-HT電感器專為汽車、工業及深井鑽探產品中的開關電源、EMI/RFI濾波及輸出電抗器而進行了優化 |
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Vishay推出新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通過AEC-Q101認證的新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET，該系列包含兩款採用PowerPAK 1212-8封裝且額定結溫為175°C的60V元件。日前推出的元件為在10V柵極驅動時導通電阻為25毫歐的Vishay Siliconix n通道SQ7414EN以及額定導通電阻為65毫歐的p通道SQ7415EN |
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Vishay推出三款新型單線路ESD保護二極體 (2007.11.12)
Vishay宣佈推出採用小型塑膠SOD923封裝的三款新型單線路ESD保護二極體，這些元件面向可擕式電子設備及其他對空間敏感的應用。
VESD03A1C-02Z、VESD05A1C-02Z及VESD12A1C-02Z可在空間受限的應用中提供ESD保護，例如可擕式電子設備，包括可擕式遊戲設備、MP3播放器及手機 |
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Vishay推寬泛光強度及獨立顏色控制SMD三色LED (2007.11.12)
Vishay推出具有寬泛光強度範圍及獨立顏色控制的新型多SMD三色LED。VLMRGB343..多SMD三色LED是一種高亮度器件，可針對苛刻的高效應用單獨控制紅色、綠色及藍色LED晶片。該器件為黑色表面，可與所有視頻標準相容，其採用占位面積為3.2mm×2.8mm、厚度僅為1.8mm的小型PLCC-4封裝，可實現板面空間節約 |
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Vishay推出採SMD功率封裝的新型Little Star LED (2007.11.08)
Vishay宣佈推出新系列黃色、淡黃色、暖白色及白色1W功率SMD LED。Little Star VLMK71..、VLMY71..、VLMW71..及VLMW711..系列為眾多應用提供了低熱阻及高光強度。
Vishay新型Little Star LED採用具有6.0mm×6.0mm較小占位面積及1.5mm超薄厚度的SMD功率封裝，這些器件是市場上最堅固耐用、光效率最高的產品 |
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VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET，這些器件具有三種封裝選擇，可提供最佳的導通電阻性能，憑借這三款器件，公司將有助於提升固定電信網路的效率 |
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Vishay推出具高敏感度/尺寸比之紅外接收器模組 (2007.10.29)
Vishay宣佈推出具有業界最高敏感度/尺寸比的新系列表面貼裝紅外接收器模組。新型TSOP85..系列器件可在紅外遙控、資料傳輸及光障應用中實現遠距離操作，主要用於需要超薄、超小型元件的可擕式系統 |
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Vishay推出面向加熱應用的PTC熱敏電阻 (2007.10.29)
Vishay宣佈推出面向加熱應用的新系列自調節 PTC（正溫度係數）熱敏電阻。這些直接加熱的PTCHP系列器件已進行了優化，可用作熱致動器、殺蟲劑與香水噴霧器及小型保溫板等家電中的加熱元件 |
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Vishay推新型DSMZ超高精度Z箔表面貼裝分壓器 (2007.10.23)
Vishay宣佈推出新型DSMZ超高精度Z箔表面貼裝分壓器，該器件在0°C～+60°C範圍內的TCR低至±0.05ppm/°C，在 −55°C～+125°C範圍內低至±0.2ppm/°C，在額定功率時具有5ppm的PCR跟蹤（“R，由於自加熱”），並且具有±0.01%的匹配容差，以及±0.005%的負載壽命穩定性 |
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Vishay將光耦合器的溫度範圍擴展到+110ºC (2007.10.15)
Vishay Intertechnology宣佈推出採用長形超薄4引腳及5引腳表面貼裝SOP-6微型扁平封裝的光耦合器，這些封裝具有-40ºC～+110ºC的更廣泛的新溫度範圍。TCLT系列光耦合器提供了更大封裝時更高的隔離電壓，同時也為設計人員提供了板面空間節約 |
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Vishay推出新系列P通道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P通道MOSFET，這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝（2.05 mm×2.05 mm）時最大導通電阻額定值為29毫歐，採用標準SC-70封裝（2.0 mm ×2.1 mm）時為80毫歐，採用SC-89封裝（1.6 mm×1.6 mm）時為130毫歐 |
