CTIMES - Vishay

Vishay發表二款紅外線收發器 (2006.05.21)
Vishay Intertechnology在其光電子產品系列中增添了兩款新型紅外收發器，這兩款器件支持將直接來自拍照手機的數字圖片傳送到電視、打印機及其它支持的拍照手機的 IrDA 高速 IrSimpleShot協議

Vishay新型固體鉭電容器晶片問世 (2006.05.18)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出採用朝下端子（face-down termination）的無引線框鉭電容器，從而為設計人員提供了面向移動電子系統的小型電容器的新來源。 Vishay的新型298D MicroTan表面貼裝電容器在16V時電容值為1µF

Vishay推出三款雙單刀雙擲單片CMOS類比開關 (2006.05.09)
Vishay推出三款雙單刀雙擲(SPDT)單片CMOS類比開關，這些器件在尺寸較小的封裝中結合了低工作電壓範圍及低導通電阻額定值，它們主要面向可擕式及電池供電終端產品中的信號路由應用

Vishay推出新系列表面貼裝鋁電容器 (2006.05.03)
Vishay Intertechnology宣佈推出新系列表面貼裝鋁電容器，這些器件具有超低阻抗、高紋波電流、較長使用壽命，以及在無鉛 (Pb) 條件下具有可焊接性。這些新型 150 CRZ 電容器還符合歐盟有害物質使用限制規範 (RoHS)

Vishay推出無鉛高強度SMD LED (2006.04.01)
Vishay Intertechnology宣佈推出可使用無鉛 (Pb) 回流焊工藝的高強度 SMD LED，這些產品可直接替代 Vishay TLM 系列中的器件。新型 VLM 系列中的器件主要用于包括以下方面的應用︰汽車儀表板、收音機及開關中的背光；電信系統、音視頻設備及辦公設備中的指示燈與背光；LCD、開關及標誌的平面背光

Vishay推出超小、超強亮度的白光MiniLED (2006.03.26)
為滿足對表面貼裝白光 LED 日益增長的需求，Vishay Intertechnology推出了超小、超強亮度的白光MiniLED。這款新型 VLMW2100 SMD MiniLED 採用 2.3 毫米 × 1.3 毫米 × 1.4 毫米的超薄封裝，並且進行了光強度分類，其採用與 Osram 相同的分類與命名方案

Vishay推出新型的光敏閘流體產品系列 (2006.03.26)
Vishay正在向其光敏閘流體產品系列中增添 12 款新型器件，這些器件具有5kV/μs 的靜態 dV/dt，比其它供應商提供的僅次于它們的器件高五倍。這些新型光敏閘流體器件使客戶能夠在 58 種基本光敏閘流體部件編號（不包括電及引線類型選件）中進行選擇，廣泛的品種足以滿足任何應用要求

Vishay新型雙光電MOSFET驅動器問世 (2006.02.27)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出一款新型固體繼電器——雙光電MOSFET驅動，該器件實現了斷路電壓與短路電流組合。與等同的電機械繼電器設計相比，當與Vishay Siliconix MOSFET相結合時，這款新型VO1263AB可實現更長的產品使用壽命、更高的可靠性及更快速的切換

Vishay 推出面向主端濾波緩沖器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology, Inc.推出面向主端濾波緩沖器且電容範圍介於68μF～820μF的新系列鋁電解電容器。這些電容器的容差為20%，在 +85°C時有效使用時間長達2,000小時。Vishay BCcomponents 093 PMG-SI系列電容器的額定電壓為400V、420V 及 450V，工作溫度範圍介於-25°C～+85°C

Vishay推出新型5瓦Power Metal Strip電阻器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出一款新型5瓦Power Metal Strip電阻器，該電阻器是業界在小型 2818封裝中能夠提供5瓦功率的首款器件。這款新型表面貼裝Power Metal Strip電阻採用0.280英寸×0.180英寸×0.032英寸[7.1毫米×4.6毫米×0.813毫米]封裝，並且具有1毫歐～100毫歐的超低電阻值

Vishay新元件系列擴展瓷盤電容器範圍 (2006.02.09)
Vishay Intertechnology推出兩個可實現RFI/EMI抑制的新型高可靠性元件系列，從而擴展其瓷盤電容器範圍。VY1與VY2電容器符合EN132400/IEC 60384–14第二版ENEC-VDE、UL1414及CSA標準要求，並且可用於線分流及跨接線配置，以抑制共模及差模干擾

Vishay推出五款新型VFCP電阻 (2006.02.06)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出VFCP系列超高精度表面貼裝Bulk Metal Z箔(BMZF)電阻，這些器件採用倒裝片配置，可提供出色的功率尺寸比。這五款新型VFCP電阻是將70°C時750mW的高額定功率、低至±0.005%的長期穩定性、±0.2ppm/°C的超低典型TCR、在額定功率時±5ppm的出色PCR及±0.01%的低容差等特性集於一身的器件

Vishay推出一款晶片電阻分壓器CDHV (2006.01.19)
Vishay Intertechnology宣佈推出一款小型表面貼裝晶片電阻分壓器CDHV，該器件在高壓下可實現出色的比例穩定性。這款新型電阻分壓器主要用於高壓電源、電源開關設備及變頻器控制

Vishay推出創新型PolarPAK封裝兩款功率MOSFET (2005.12.23)
Vishay宣佈，該公司正推出率先採用其創新型PolarPAK封裝的兩款功率MOSFET，該封裝使用雙面冷卻，可降低熱阻、封裝電阻及封裝電感，從而實現更高效、更快速的開關功率MOSFET

Vishay推出全數位2.4GHz無線鏈結RFWaves參考設計 (2005.12.12)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出一款使用全數位2.4GHz無線鏈結的全面Vishay RFWaves參考設計，其主要面向基於USB的無線手機。該系統的目標應用包括VoIP、基於PC的無繩電話，以及基於 PC的“智慧”玩具

Vishay推出新型同步降壓控制器IC (2005.12.07)
Vishay Intertechnology,Inc.推出兩款可與外部MOSFET共同運行的新型同步降壓控制器IC，這些器件在需要10A輸出電流的直流到直流轉換器電路中具有的外部元件數最少。高壓SiP12201及低壓SiP12202控制器均可在電池供電系統、電信及工業終端系統等廣泛應用中實現靈活、高效的電壓轉換

Vishay新型薄膜扁平晶片電阻問世 (2005.12.06)
Vishay Intertechnology, Inc.推出採用 0402、0603、0805及1206封裝且電阻值分別為221kΩ、511kΩ、1.5MΩ及 2.0MΩ的器件，從而擴展了其Vishay Beyschlag薄膜扁平晶片電阻系列

Vishay推出17款新型功率MOSFET (2005.12.01)
Vishay推出17款新型功率MOSFET，這些器件採用小型PowerPAK 1212-8封裝，並且具有低至3.7mΩ的超低導通電阻值。這些TrenchFET第二代器件實現了巨大的空間節約，它們的尺寸僅為3.3毫米×3.3毫米×1毫米，僅是SO-8封裝的1/3，並且它們還具有不足2°C/W的低熱阻，這一熱阻值比SO-8器件低8倍

Vishay推出新型TR3系列模塑鉭電容器晶片 (2005.11.18)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出新型TR3系列模塑鉭電容器晶片。憑藉低至0.035Ω的ESR以及最大為2.07A(100kHz、470µF)的紋波電流，這些電容器可提供高效率。低ESR值在直流到直流轉換應用中可實現更高效的濾波，而這些器件處理高電流的能力在微處理器大型能量存儲應用中非常關鍵

Vishay推出新型表面貼裝晶片式電阻衰減器 (2005.10.24)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型表面貼裝晶片式電阻衰減器，這些器件可替代三個或更多分立元件，從而降低板面空間要求以及簡化更小、更輕的電子系統的製造。新型Vishay Dale CZA04S與CZA06S主要面向電信及移動無線產品中的射頻信號衰減應用