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EECO和ALLOS演示高性能200mm Gan-on-silcon實現micro-LED應用 (2017.11.02)
Veeco Instruments Inc.宣布與ALLOS Semiconductors（ALLOS）完成一項戰略措施，以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 Veeco與ALLOS合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel Single-Wafer MOCVD系統上，以便於現有的矽生產線上實現生產Micro-LED |
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溼蝕刻製程降低TSV成本 更易實現3D IC (2015.10.22)
TSV（矽穿孔）技術在3D IC中，可謂扮演相當吃重的角色，由於摩爾定律的關係，半導體製程的不斷突破，晶片業者不斷提升電晶體密度，同時又面臨晶片尺寸極為有限的情況下，水平面積畢竟還是有其極限，所以半導體業者們才從垂直方向下手，以整合更多的電晶體，進一步提升晶片整體效能 |
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Veeco推出EPIK700 MOCVD系統 加速固態照明普及 (2014.09.09)
Veeco(威科)今天宣佈推出TurboDisc EPIK700氮化鎵(GaN)有機金屬化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)系統，以低運作成本結合業界最高生產效率和優異的良率，有效降低LED製造成本，帶動一般照明應用 |
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LED照明成長 推升MOCVD市場需求 (2014.02.11)
Veeco是提供製造LED晶粒的MOCVD設備生產商。MOCVD（有機金屬氣相沈積）是LED製程中非常重要的生產步驟，而且是一個高度複雜的化學製程，藉由成長不同特性的半導體薄膜層之材料結構，得以將電能轉換為光能 |
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製程技術升級 光罩恐跟不上晶圓腳步 (2002.10.03)
美國半導體新聞網站Silicon Strategies報導，雖然目前半導體晶圓製程正處於8吋轉換至12吋的階段，但光罩業者的腳步是否能順利跟上晶圓業者的腳步升級，仍值得觀察。
半導體設備商ASML日前於BACUS光罩技術研討會中 |
