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UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間 |
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UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返馳式轉換器的SiC JFET系列 (2019.03.21)
UnitedSiC推出一系列適用於與具備內建低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，可製造出速度快，基於疊接的20W至100W返馳式產品。這些常導通式SiC JFET的操作電壓範圍為650V至1700V，可幫助實現簡化的啟動方案，具有零待機功耗 |
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UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準 |
IAB是Internet Activities Board的簡稱，意即美國網路廣告組織，是一個專門管理與觀察美國網路廣告活動的一個機構。
