NS以绝缘矽（SOI）BiCMOS 类比制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能，这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器所设计，其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上。而使用该制程所设计的产品，无论在电源效率、杂讯及准确度之表现都优于NS旧款IC产品与其他竞争产品。

NS放大器产品线之技术行销经理Carlos Sanchez表示，BiCMOS为结合双极与CMOS两种结构的半导体元件，将电路中需要高速与高电流驱动的部份以双极元件来制作，需要高整合度与低耗能的部份就以CMOS来制作。其优点在于能提供速度更快、杂讯更低以及功率更低等特性。虽然CMOS的制程速度较快、成本也较低，但是杂讯处理不如BiCOMS，因此BiCMOS的制程技术一般较适合电源管理设计。 BiCMOS是极具实用性的技术，在使用上并不会牺牲类比电路之效能。

BiCMOS制程技术优于传统的双极或CMOS制程技术。双极元件内存在高速垂直NPN及PNP电晶体。 BiCMOS制程只要加入了垂直PNP电晶体，便可提供放大器更高度平衡的输出级，以确保放大器可以充分发挥速度/功率比的特点。

双极元件可与闸长为0.5μm的类比MOS电晶体搭配使用。 0.5μm的MOS模组可调整效能以确保相互之运作顺利，并且还可抑制中低频的杂讯。在某些系统上，MOS电​​晶体是讯号路径的重要组成部分，因此具备这些特色对系统来说便显得非常重要。在加入了0.5μm的MOS模组之后，在设计上也可将更多的混合讯号技术及数位技术进行整合。

该制程电路内部的不同部分都在加设了绝缘矽（SOI）的晶圆上以沟道相互隔离，这种隔离设计主要用意在于将电路内部产生的寄生电容降至最低，因此放大器的速度/功率比可以进一步提升。而隔离设计的另一项优点就是即使讯号电压高于正极供电电压及负极输入电压，放大器晶片仍可针对相关讯号进行处理。另外，由于不会出现漏电状况，因此即使在极高温度之下作业，也不会降低放大器的处理效能，所以以此制程所设计的放大器晶片可将其应用范围扩大至工业应用及车用电子系统上。

Carlos Sanchez指出，工业自动化与感应等应用领域需要更高效能的放大器，其对杂讯的要求度高，又需要省电及更小封装的产品。 NS以BiCMOS制程技术降低放大器的功耗、缩小封装体积并提高其产品准确度，这些优点除了带得自己产品更大竞争力之外，也让客户能以这些产品开发效能更高、精密度更高的系统与设备。目前NS采用高速VIP10制程制造的产品已有50余款，而未来更将以VIP50制程技术开发更多效能更好的产品。

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