随着5G、AI及物联网世代逐步来临，以及功率元件碳化矽（Silicon Carbide, SiC）、氮化镓（Gallium Nitride, GaN）技术成熟催化之下，高效率、低功耗和高功率密度电源设计需求势必日益普及。为符合市场需求，Microchip在16位元dsPIC33系列产品不断开发进步，从最早dsPIC33F单核心数位控制器，至今扩展到dsPIC33CK单核心与dsPIC33CH双核心数位控制器，为使用者提供多元化选择。乃至开发工具方面，Microchip提供Digital Power Development Board（DM330029），如（图一）所示，结合不同型号的Digital Power PIM，如（图二），可灵活的测试及评估Microchip全系列dsPIC33，加速熟悉dsPIC33与产品开发。

不仅如此，客户所引颈期盼，针对成熟的SiC和新兴的GaN等相关应用，Microchip也推出30kW Vienna 3-Phase Power Factor Correction（PFC）参考设计，除了采用Microchip高效能的SiC功率元件，并在2020年协同Efficient Power Conversion（EPC）和Transphorm合作伙伴分别开发1/16th Brick Power Module和Bridgeless Totem-Pole PFC，其相关介绍如下：

(1)30kW Vienna 3-Phase Power Factor Correction（PFC）参考设计

参考（图三），控制核心采用dsPIC33CH256MP506双核DSC，硬体上则采用Microchip 700V SiC MOSFETs和1200V SiC diodes，于30kW输出下，最大效率可达98.6%，而半载及满载电流THD

(2)EPC9143 300W 1/16th Brick Power Module参考设计

参考（图四），该参考设计输入电压为48V，输出电压为12V，输出电流为25A，峰值效率 95％，最大功率密度为730W / in3，可广泛应用于数据中心、电信和汽车等电源应用；结合dsPIC33CK DSC控制，充分发挥GaN FET的高性能，实现高切换频率Intermediate Bus Converter（IBC）应用。在韧体控制方面，此参考设计提供Average Current Mode Control （ACMC）及Advanced Type IV Voltage Loop Control （AVMC）两种截然不同的控制模式供参考，使用者可针对自身实际需求选择最佳控制模式。

(3)TDTTP4000W066C 4kW Bridgeless Totem-Pole PFC

（图五）为4kW Bridgeless Totem-Pole PFC参考设计，透过Microchip的dsPIC33CK，实现高效率及高效能AC/DC转换，其主要硬体设计规格为：

‧输入电压85 VAC ~ 265 VAC, 47Hz - 63Hz

‧输入电流18A, 2000W@115 VAC / 4000W@230 VAC

‧输出电压 387 VDC

韧体控制方面，电压和电流环补偿器采用2P2Z演算法，并结合Feed Forward 控制，改善输入电流THD，使其Power Factor 0.99。

欲获得更多数位电源相关讯息及开发工具，请参考官方网站 microchip.com/smps，亦欢迎与我们经验丰富的设计团队联系。

本文作者为：Microchip工程师 陈建男