英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度

英飞凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置，除了能够满足设计人员对更高功率密度的需求，即使面对严格的高电压和开关频率要求，也能够维持系统的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。此为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化矽分立元件，CoolSiC MOSFET 采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为 5.4 mm。该半导体元件得益於其较低的开关损耗，适用於太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。

图一 : 全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置采用 TO247-4-4 封装，除了足设计人员对更高功率密度的需求，也能够维持系统的可靠性。

CoolSiC MOSFET 2000 V 产品系列适用於最高 1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET 相比，这些元件还能为1500 VDC 系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准闸极??值电压为4.5 V，并且配备坚固的本体二极体来实现硬换向。凭藉.XT 连接技术，这些元件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。

此外，英飞凌近期将推出配套的CoolSiC二极体：首先将於 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极体产品组合，随後将於 2024 年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC二极体产品组合。这些二极体适合太阳能应用。英飞凌亦提供相配的闸极驱动器产品组合。
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