英飞凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低导通电阻和新型封装

为了提供汽车和工业电源应用超高系统效率和功率密度，英飞凌科技（Infineon）推出全新封装CoolSiC MOSFET 750V G2系列。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK等多种封装，产品组合覆盖在25。C情况下的典型导通电阻(R_DS(on))值60 mΩ。

图一 : CoolSiC MOSFET 750 V G2系列创新的顶部散热 Q-DPAK 封装是其核心特性之一，可提供极隹的热性能与可靠性。

此次扩展的产品涵盖多种应用，例如汽车领域的车载充电器和高低压DCDC转换器，以及工业应用中的伺服器和电信开关电源（SMPS）和电动汽车充电基础设施等。其4 mΩ超低导通电阻可支援对静态开关性能有特殊要求的应用，例如高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等，使得设计人员能够开发出更高效、更精简且更可靠的系统，以满足各类严苛的要求。

CoolSiC MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热Q-DPAK封装，该封装可提供极隹的热性能与可靠性。该封装专为轻松应对高功率应用而开发，适合想要突破功率密度和效率极限的设计人员。该技术还具有出色的(R_DS(on)) x Q_OSS和(R_DS(on) ) x Q_fr，可有效降低硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，尤其是在硬开关使用者案例中具有出色的效率。
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