CTIMES- Sony与imec推出高密度晶背连接模组实现新一代3D晶片整合

於本周进行的2026年IEEE/JSAP超大规模积体电路（VLSI）技术与电路研讨会上，比利时微电子研究中心（imec）与索尼（Sony）共同发表一套用来建立超高密度晶背内连的创新整合模组，这些连接是3D堆叠和晶背功能化技术的关键组件。

该模组的架构基於一道自对准局部晶背介电隔离（local BDI）制程步骤，进而制出具备低电阻、低漏电和超高密度的晶圆前後矽穿孔（TSV），还能胜过传统矽穿孔方法，提供高达三倍的叠对容许范围。这套局部晶背介电隔离矽穿孔模组是一套整合方法，将实现用於各种应用案例的3D整合方案，包含逻辑与记忆体元件。

晶背功能化与3D堆叠技术是实现新一代半导体元件的关键技术。两者需要高密度的晶背内连，以确保在布线细密的主动式晶圆正面与较低密度的结构化晶圆背面之间建立连接。其中一种晶背内连的潜力方案是中穿孔（via-middle）矽穿孔制程。虽然这套方法可以实现从晶圆正面到背面（晶圆前後）的高密度连接，但制出的矽穿孔通常具备较高的深宽比，而这会带来金属化和电性方面的挑战。
...
...