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半镶嵌金属化：後段制程的转折点？

应对多世代20奈米以下导线间距的RC延迟问题

五年多前，比利时微电子研究中心（imec）提出了半镶嵌（semi-damascene）这个全新的模组方法，以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。

当半镶嵌制程与像是??（Ru）等可图形化金属并用时，预计会在RC延迟、面积、成本和功率效率方面带来高效益，提供了一条微缩内连导线的发展道路。

本文回顾这个概念的价值主张、总结最顶尖的??（Ru）半镶嵌技术之挑战和潜在解决方案，并呼吁产学界合作排除导入业界的发展障碍。
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