功率半導體元件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以矽（Si）為基礎的晶片設計架構成為主流，碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元，效率更高。

MOSFET與IGBT雙主流各有痛點

高功率元件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為台灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體元件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效電晶體）與IGBT（絕緣閘雙極電晶體）的應用範圍最為重要，兩者各有優勢及不足。
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