CTIMES- ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU :

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET產品被選定為支援次世代電源系統的SiC功率元件。

隨著生成式AI的普及，GPU的性能不斷提升，資料中心的功耗急遽增加。針對此課題，相關產品正在加速採用可降低輸電損耗的HVDC架構。在這種大功率、高電壓環境中，為了在停電或瞬停等異常情況下保護系統及大量資料，以伺服器機架為單位進行電力補償的BBU和CU（Capacitor Unit）變得越來越重要。

本次被採用的產品是750V耐壓的SiC MOSFET「SCT4013DLL」，配置於AI伺服器用±400V供電架構的電源單元中。該產品可充分發揮SiC的特性，具備最高接面溫度（Tj）達175°C的優異耐高溫性能，即使在因電壓和功率密度日益提升而導致發熱量增加的BBU中也能穩定工作。
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