SiGe:C npn電晶體異質接面雙極性晶體管（HBT）是 BiCMOS IC 中針對高速類比和混合訊號應用的核心技術，它具有以下特性︰基極中少數固有電子高度的機動性、SiGe:C能使偏移所提供的附加性能增強，以及利用硼輕鬆取得清晰的p型外形。

另一方面，高速互補（npn與pnp電晶體）技術（CBiCMOS）要求pnp與npn HBT具有相似的性能。先對SiGe pnp基極外形中所做的平衡措施進行識別[1]，以免造成少數載波的傳輸性能下降。但由於常見摻雜質（如磷和砷）在較大程度上分離的狀況，n型SiGe基極摻雜工程技術目前仍是一項挑戰。

針對此挑戰，因此提出了使用標準和原子層摻雜（ALD）技術的摻雜工程技術概論，並顯示了與硼對等的摻雜外形可透過使用ALD的砷和磷來取得。
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