SILITH與聯華電子合作加速AI基礎設施矽光子高產量製造

SILITH與聯華電子今(14)日共同宣布，聯電新加坡晶圓廠完成首批量產矽光子晶圓交付。象徵雙方合作邁入量產新里程碑，並進一步推動下世代矽光子的大規模製造。本次合作結合 SILITH 的矽光子設計專業與聯電的12 吋晶圓製造與製程能力，以支援 SILITH 每秒 1.6 太位元(1.6 terabits per second，1.6T)解決方案的量產需求，滿足AI與超大規模資料中心網路對高速 AI 光互連日益成長的需求。

圖一 : SILITH與聯華電子達成矽光子量產里程碑

結合 SILITH 專有的矽光子架構、聯電先進的製程整合技術、以及其經驗證的絕緣層上覆矽製造能力，雙方團隊在18個月內即完成矽光子平台由開發導入量產的目標。該平台已展現達到量產標準的高良率與高可靠度，並已通過全球領先雲端基礎設施客戶的認證，可進行大量布建。透過此次合作，雙方共同建立了一套可擴充的矽光子製造平台，以支援下世代 AI 基礎設施的發展。

除了成功推動首項矽光子客戶產品量產之外，聯電預計於 2027 年正式提供自有12吋矽光子平台，供更多客戶進行產品開發與量產導入。

延續 SILITH 每通道200G矽光子客製化製程成功商業化的成果，聯電與SILITH正擴展其矽光子技術藍圖，以支援下一代每通道400G光互連。作為關鍵里程碑，雙方正合作開發每通道400G純矽光子平台，採用高速馬赫－曾德爾調變器(Mach-Zehnder Modulator，MZM) 設計架構，實現每通道400G的高速傳輸能力，同時維持與 CMOS相容的製程可製造性、量產擴展性與成本優勢。

除每通道400G矽光子技術外，聯電亦正攜手生態系夥伴，開發以鈮酸鋰薄膜（Thin-Film Lithium Niobate，TFLN）為基礎的解決方案，以滿足未來超高頻寬光互連需求。結合聯電的先進封裝技術，矽光子與 TFLN 兩大平台將共同支援共封裝光學(CPO)、光學I/O等高度整合架構，協助打造下世代 AI 基礎建設。