羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城

在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢。

圖一 : 羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮

SiC顧名思義，就是矽與碳採1比1結合而成的化合物半導體，對於熱、化學與機械現象，都能有相當不錯的表現，舉例來說，它幾乎不跟酸鹼產生任何化學反應，在摩氏硬度上也幾乎可以跟鑽石抗衡。所以歸納來看，SiC元件它具備低導通電阻、耐壓能力達600V以上、低開關損耗，以及工作溫度可達150℃以上。根據Yole的調查顯示，到了2020年，SiC市場將會成長至362百萬美元的規模。

日系功率半導體大廠羅姆半導體（ROHM）在SiC也有相當程度的進展，在2010年的四月ROHM便已量產了以SiC為主的二極體元件，同年十二月也量產了功率開關元件，到了2014年，在二極體與開關元件，各自推出了第二代的產品。而在近期，ROHM也發表了第三代產品，值得注意的是，第三代產品的設計採取了溝槽式結構設計，相較於過往平面式SiC，其導通電阻可降低50%。
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