因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求。高效能IGBT 7元件是太陽能逆變器、氫能生態系統、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件。

圖一 : Microchip的IGBT 7功率元件組合為永續、電動出行和資料中心應用而優化設計，支援多種拓撲結構、電流和電壓範圍。

設計人員可根據不同的需求選擇合適的功率元件解決方案。IGBT 7元件採用標準D3和D4 62毫米封裝，以及SP6C、SP1F和SP6LI封裝。該產品組合可在拓撲結構中提供三電位中性點鉗位（NPC）、三相橋、升壓斬波器、降壓斬波器、雙共源、全橋、相腳、單開關和T型等多種配置。支援電壓範圍為1200V至1700V，電流範圍為50A至900A。

多功能IGBT 7系列產品結合易用性和成本效益與更高功率密度和可靠性，提供最大的靈活性。這些產品針對通用工業應用以及專業航太和國防應用而設計。更低的導通IGBT電壓（Vce）、改進的反並聯二極管（Vf更低）和更高的電流能力可實現更低的功率損耗、更高的功率密度和更高的系統效率。低電感封裝加上Tvj -175°C時更高的過載能力，以較低系統成本創建堅固耐用、高可靠性航空和國防應用（如推進、驅動和配電）的選擇。
...
...