1 Mb FRAM（鐵電隨機存取記憶體）的MB85RS1MT元件，採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝（WL-CSP）製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP（small-outline package）封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI的1 Mb FRAM變成業界最小尺寸的FRAM元件。（註1,2）

香港商富士通半導體台灣分公司成功開發及推出的WL-CSP FRAM為適用於穿戴式裝置的記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，並提供更持久的電池續航力。

穿戴式市場是目前備受矚目的焦點，並以驚人的速度快速拓展。穿戴式市場涵蓋種類繁多，包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫療裝置如助聽器和脈搏計等，以及可記錄卡路里消耗量和運算資料的活動記錄器。而這些眾多裝置的共同點，皆為須持續的即時記錄資料。

一般的非揮發性記憶體技術，如EEPROM和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入100萬次，而富士通的FRAM技術則可將資料完整性大大提高到保證最少10兆次讀/寫次數，因此適用於儲存即時記錄資料。

封裝比較

為了更加利用FRAM的上述特性，富士通半導體如今為其MB85RS1MT產品線中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSO封裝（如圖一）。

圖一 : SOP及WL-CSP封裝比較

MB85RS1MT元件已採用業界標準的SOP封裝，然而採用WL-CSP封裝後，其體積僅3.09 × 2.28 × 0.33 mm大小，而封裝面積只有SOP封裝的23%；換言之，即能比SOP封裝的面積減少77%（如圖二）。此外，其厚度僅0.33 mm，相當於信用卡厚度的一半，而封裝體積更比SOP封裝小了95% （如圖三和圖四）。

圖二 : 封裝面積比較

圖三 : 封裝厚度比較

圖四 : 封裝體積比較

低功耗作業是FRAM眾多優點之一。相較於一般使用的EEPROM非揮發性記憶體，FRAM寫入資料的速度也比較快，因此可在寫入資料時大幅降低功耗（如圖五）。基於此原因，為了即時記錄而需經常性寫入資料的穿戴式裝置在採用此FRAM後，可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。

圖五 : 寫入時功耗量比較

採用WL-CSP封裝的MB85RS1MT元件，對穿戴式裝置廠商而言則是提供更小、更薄和功能更豐富的產品，並大幅延長電力。

註釋

註1：鐵電隨機存取記憶體（FRAM）─FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可以保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫週期的優點。富士通半導體自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。

註2：序列周邊介面（SPI）─SPI是基板上晶片之間的資料傳輸標準，是一種三線同步的序列介面。