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成大高熵科技應用中心攜手泰士科技 開發前瞻探針技術

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因應高階半導體測試需求,國立成功大學高熵科技應用中心與泰谷光電近日簽署合作備忘錄(MOU),攜手泰谷光電旗下的泰士科技,合作聚焦高熵微機電探針(HEA MEMS Probe)與商用探針的產業化技術開發和驗證、量產前測試與市場策略評估。簽署儀式於成功大學舉行,由成大副校長莊偉哲與泰谷光電董事長黃國師代表雙方共同簽署。此外,泰谷光電捐贈成大關鍵的研發實驗設備,以支持前瞻技術研究,深化產學合作。


圖一 : 成功大學攜手泰谷光電開創前瞻探針技術研究簽署合作備忘錄,深化產學合作。
圖一 : 成功大學攜手泰谷光電開創前瞻探針技術研究簽署合作備忘錄,深化產學合作。

根據市場研究機構預測,2024 年至 2028 年間,全球探針卡市場的年複合成長率達到 10.1%,而MEMS探針卡的年增長率為11.8%。在人工智慧(AI)、高效能運算(HPC)、5G 通訊、車用電子等新興應用驅動下,MEMS探針卡市場需求持續攀升。


成大高熵科技應用中心研發的高熵 MEMS 探針技術,具有優異的機械強度與抗疲勞性,能夠顯著延長探針壽命;大電流的穩定性可降低接觸電阻,提高高功率測試可靠性;減少探針更換頻率的低維護成本;以及適用異質整合與系統級封裝(SiP)晶片測試等。目前該技術已取得多項發明專利,正在進行產業化驗證,未來將深化與業界合作,加速市場導入。
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