CTIMES- 單晶片驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術改善電源系統設計

單晶片驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術改善電源系統設計

作者：ADI | 2022年10月27日星期四

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本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩壓器模組（VRM）應用中的優勢。單晶片DrMOS元件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。

隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水準尺度上變得更密集、更快速。因此，這些元件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模組（VRM）提供。

在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率，高效率可降低功率損耗並改善熱管理。
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