開放式高速互連協定CXL記憶體介面的近期導入提供新興記憶體全新契機，在資料密集型運算應用中，與動態隨機存取記憶體（DRAM）各顯優勢。imec的研究顯示，包含氧化銦鎵鋅（IGZO）傳導通道的3D整合式電荷耦合元件（CCD）記憶體是絕佳的潛力元件。

AI與機器學習如何改變傳統的運算架構

圖一 : 透過技術發展可以提高DRAM密度，以解決對DRAM持續增長的需求，並跟進處理器邏輯元件的性能升級。

數十年來，動態隨機存取記憶體（DRAM）一直是傳統馮紐曼電腦架構的主要記憶體。其功能是暫時儲存資料和程式碼，並利用雙倍資料速率（DDR）匯流排，把這些資訊饋入處理器的快取記憶體。DRAM能以位元組（byte）為定址單位，這表示它可以一次定址單個或數個位元組。其中一個最關鍵的指標是短延遲，即在50奈秒的時程內完成第一個位元組定址的能力。快速擷取程式碼最需要這項規格，這些程式碼一般包含隨機分佈在DRAM晶片內的分支指令。
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