为推进尖端半导体微影技术发展，ASML和英特尔宣布其长远合作的最新阶段发展。作为双方公司长远高数值孔径合作案的框架内容，英特尔已向ASML下订业界首台TWINSCAN EXE:5200 系统的订单；这是款具备High-NA的极紫外光（EUV）大量生产系统，每小时具备200片以上晶圆产能。

新闻照片_英特尔和ASML强化合作关系，驱动High-NA高数值孔径於2025年进入生产阶段

「英特尔的远见和对ASML High-NA EUV的早期承诺，为其不断追求摩尔定律的绝隹佐证。相较於目前的 EUV系统，我们持续创新拓展EUV路线图，进一步降低复杂性、成本、周期时间和所需能量，提供驱动晶片产业下个10年所需要的良好经济规模延展性。」━Martin van den Brink，ASML总裁暨技术长。

英特尔於去年7月Accelarated活动中宣布，其部署首款High-NA技术的计画，藉以确立电晶体创新路线图发展。英特尔早在2018年即是之前TWINSCAN EXE:5000系统的首位买家，透过今日所宣布的新订购案，其合作关系将随着英特尔於2025年开始以高数值孔径EUV进行生产制造而延续下去。

「英特尔的重点就是保持半导体微影技术的领先地位，去年我们持续不断地打造我们的EUV专业知识和能力。透过与ASML的密切合作，我们将汲取High-NA EUV的高阶析度图案化优势，作为延续摩尔定律的其中一个方式，并将我们追寻电晶体微缩的优良传统延续下去。」Ann Kelleher博士，英特尔执行??总裁暨技术开发事业部总经理。

EXE平台为EUV技术的演化步骤，其包含新颖的光学设计与大幅提升速度的光罩与晶圆阶段。TWINSCAN EXE:5000 和EXE:5200系统与之前EUV机器所具备的0.33数值孔径镜片相比，提供精确度提升的0.55数值孔径，为更小的电晶体特徵提供更高的解析度图案化。系统所具备的数值孔径结合其使用波长，决定了最小能够印制的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA为2025年开始的多个未来节点所设计，同时也是业界首次部署该技术，随之而来的将是具备相近密度的记忆体技术。在2021年的投资者关系日，ASML分享其EUV路线图规划，并表示High-NA技术有??自2025开始支援生产制造。今日声明与此路线图规划一致。