CEA-Leti工程师在IEDM论坛中首次展示了基於????铁电材料的可扩展电容平台，并将其整合到22奈米FD-SOI技术节点的後端制程(BEOL)中。这项突破性的成果代表了铁电记忆体技术的重大进展，显着提升了嵌入式应用程式的可扩展性，并将铁电RAM (FeRAM)定位为先进节点的竞争性记忆体解决方案。

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目前的嵌入式FeRAM产品使用PZT等钙??矿材料，这些材料与CMOS不相容，且无法扩展到130奈米以下的技术节点。在与CMOS相容且可扩展的HfO2基薄膜中发现铁电性，为嵌入式FeRAM开辟了新的可能性，但先前的研发成果仅在130奈米节点发表。透过将Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) FeRAM技术推进到22奈米FD-SOI节点，本次展示为物联网、行动装置和边缘运算等嵌入式系统中更快、更节能且更具成本效益的记忆体解决方案打开了大门。

「FD-SOI技术以其低功耗能力而闻名，使其非常适合FeRAM，FeRAM本质上是位元单元级别最节能的记忆体技术」该论文的两位主要贡献者Simon Martin和Laurent Grenouillet解释道。

「缩小到22奈米需要制造功能性低至0.0028μm2的2D铁电电容以及3D铁电电容，同时保持HZO薄膜结晶的相对较低的热预算。」

该研究所将加速HZO FeRAM的研发，并计划展示比静态随机存取记忆体(SRAM)更小的嵌入式Mbit记忆体阵列。这些记忆体阵列的工作电压约为1V，并具有高存取速率，适用於需要非挥发性的超低功耗应用程式。