隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位。Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。

Lam Cryo 3.0利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以精度和控制來蝕刻深寬比50倍以上的儲存通道，實現小於0.1%的蝕刻輪廓誤差。

迄今3D NAND主要透過儲存單元的垂直層堆疊取得進展，這是透過蝕刻深而窄的HAR儲存通道實現的。蝕刻輪廓的極小原子級誤差可能會對晶片的電效能產生負面影響，並可能影響良率。Lam Cryo 3.0以埃米級精度建立高深寬比（HAR）特徵，蝕刻速率是傳統介電層製程的兩倍以上，可解決上述提及和其他微縮方面的蝕刻挑戰。

如今在NAND生產中使用的超過7,500個科林研發HAR介電層蝕刻腔體中，已有近1,000個使用低溫蝕刻技術。Lam Cryo 3.0利用獨特的高功率侷限電漿反應器、製程改善和遠低於-0oC的溫度，從而利用新型蝕刻化學製程。與科林研發最新的Vantex介電層系統的可擴展脈衝電漿技術結合時，蝕刻深度和輪廓控制顯著增加。使用Lam Cryo 3.0技術，3D NAND製造商可以蝕刻深度高達10微米的儲存通道，從頂部到底部的關鍵尺寸誤差小於0.1%。