相较於矽（Si），采用碳化矽（SiC）基材的元件性能优势十分的显着，尤其是在高压与高频的性能上，然而，这些优势却始终未能转换成市场规模，主要的原因就出在碳化矽晶圆的制造和产能的不顺畅。

6寸碳化矽晶圆

由於碳化矽需要在2000。C以上高温（矽晶仅需在1500。C），以及350MPa以上才能达成。若透过添加一些特殊的助烧剂，或者气体沉积的方式，则可使碳化矽烧成温度降到2000。C左右，且在常压就能进行。

依据目前的矽晶业者的生产情况，一般而言，生产8寸的矽晶棒，需要约2天半的时间来拉晶，6寸的矽晶棒则需要约一天。接着，待晶棒冷却之後，再进行晶圆的切片和研磨。

至於碳化矽晶圆，光长晶的时间，就约需要7至10天，而且生成的高度可能只有几寸而已（矽晶棒可达1至2米以上），再加上後续的加工制程也因为硬度的影响而相对困难，因此其产能十分有限，品质也不稳定。

「由於碳化矽的生产瓶颈尚未解决，原料晶柱的品质不稳定，造成整体市场无法大规模普及。」瀚天天成电子科技销售??总裁司马良亮，一语点出目前的市场困境。

司马良亮表示，相较於矽晶，碳化矽的功能性更好，在导热、延展性和导电性方面都有很好的表现，投入的业者也很多。但几年过去，市场规模依旧十分有限，并没有出现大的进展，主要的原因就在於原料晶柱的品质不稳定，造成没有足够的晶圆来供应市场。

「只要长晶过程中的温度和压力有一些失误，那好几天的心血可能就都会为乌有。」司马良亮说。

目前全球仅约有三、四家业者（Cree、Norstel、新日铁住金等）能提供稳定的产量。中国虽然已着手自产，但在品质方面尚未能赶上美日，因此全球的产能仍十分有限，目前市场也仍是处於短缺的状况。

碳化矽元件的市场发展关键：晶圆制造