去年11月，高通正式公布了旗下Snapdragon835处理器，不过当时除了公开该处理器采用10奈米FinFET制程以及支援Quick Charge4.0技术外，并未透露太快速充电多细节。不过根据外媒报导，高通日前终于公开更多关于Snapdragon835的细节，除了效能提升、支援VR与高画质拍照功能外，高通还表示，该新款处理器较之前代降低了25%的功耗，更可提升2.5小时的续航力。

高通公开更多关于Snapdragon 835的细节，除了体积更小之外，在效能与技术支援上也更加精进。

不同于前身 Snapdragon 820 采用 2+2 自主核心设计，这次 Snapdrago 835强调的是采用融合了部分 Cortex-A 技术的 4+4 八核心配置。有赖于10奈米 FinFET 制程，比起14奈米的 Snapdragon 820 封装尺寸缩小35%，有助于设计更薄的手机产品。

如前所述，Snapdragon 835支援Quick Charge4.0快速充电技术，使充电效率提升20%，可在充电仅5分钟的短暂时间下提供5小时续航电力，由于对比前代820功耗降低一半，835可提升2.5小时的续航力。另外，QuickCharge 4.0还加入对电缆的侦测，当使用认证核可的线材时才能执行快速充电。

除了电源管理的改善，在视觉方面则是提升25%的图形效能，加强对图像捕捉的改进，包括流畅的光学变焦功能以及更好的自动对焦技术，并运用感知量化录影技术呈现栩栩如生的高动态范围色彩。

此外，高通也将VR视为重点之一，Snapdragon 835的设计同时能满足新一代对 VR与AR产品对于高效能表现的要求。透过多项改进，成功强化了视觉与音效品质、直觉互动等功能，包括可高达25%的3D绘图着色效能，以及透过Adreno 540视觉处理子系统支援可高达60倍的彩度提升。此外，Snapdragon 835亦支援4K Ultra HD premium（HDR10）影片格式、10位元超宽色域显示、物体与场景式3D音效。

外媒报导，在苹果系列产品之外，高通的Snapdragon产品线已经主宰了高阶智慧型手机的世界，在市场上几乎每一个旗舰Android机种中都能找到，甚至还称Snapdragon835将是2017年中最好的Android晶片，而Snapdragon835更将继续将此态势延续下去，尽管高通似乎为了扩张版图正努力将产品应用到非智慧型手机的其他装置设备上。

Snapdragon 835 处理器预计在 2017 年上半年开始出现在旗舰手机产品上，届时新处理器的威力在今年春天将会揭晓，只是不知道将会由哪家公司的产品抢得首发呢？