英飞凌科技（Infineon）宣布成功开发出全球首创12寸氮化??（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握此一技术的企业，这项突破将大幅推动GaN功率半导体市场的发展。相较於8寸晶圆，12寸晶圆因晶圆直径的扩大，每片晶圆上的晶片数量增加2.3倍，能够显着提高效率。

英飞凌 CEO Jochen Hanebeck 手持全球首批12寸GaN 功率晶圆，该晶圆是在现有的大批量且可扩展的生产环境中所制造。图二的12寸晶圆因直径扩大，每片晶圆上的晶片数量大增，使得生产效率显着提高。

在工业、汽车、消费、运算和通讯应用中，基於GaN的功率半导体正快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及马达控制系统等。先进的GaN制程能够提高元件性能，为终端客户的应用带来更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的整体成本。此外，凭藉着可扩展性，12寸制程在客户供货方面具有极高的稳定性。

英飞凌执行长Jochen Hanebeck表示，作为电源系统领域的领导者，英飞凌充分掌握了全部三种相关材料：矽、碳化矽和氮化??。英飞凌已成功在其奥地利菲拉赫（Villach）功率晶圆厂中，利用现有12寸矽生产设备的整合试产线，制造出12寸GaN晶圆。英飞凌将根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭藉12寸 GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的不断增长。据估计，至2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。

这一开创性的技术成就彰显英飞凌在全球电源系统和物联网半导体领域的领导者地位。英飞凌透过布局12寸 GaN制程技术，打造更具成本效益价值，能够满足客户系统全方位需求的产品，以强化现有的，并实现新的解决方案及应用领域。英飞凌将在2024年11月举行的慕尼黑电子展（electronica）上向大众展示首批12寸 GaN晶圆。

由於GaN和矽的制程相似，因此12寸GaN技术的一大优势是可以利用现有的12寸矽制造设备。英飞凌现有的大批量12寸矽生产线适用於试产可靠的GaN技术，既加快实现的速度，也有效地利用资本。12寸GaN的全规模化生产将有助於实现GaN与矽的成本在同一R_DS(on) 级别能够接近，这意味着同级矽和GaN产品的成本将能够持平。12寸GaN制程技术是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，亦支援英飞凌推动低碳化和数位化的企业使命。