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IBM Infineon合作研发MRAM
MRAM将有可能取代现有的内存芯片,潜在市场广大

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年12月07日 星期四

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国际商业机器公司(IBM)与Infineon Technologies现正共同合作开发一全新的内存芯片,而此新芯片将很有可能取代目前被使用的所有内存芯片。这两家公司发表声明表示,他们希望能加速MRAM芯片的开发,期望能尽快将其从实验室研究的阶段提升至于市面上大量销售的景况。

MRAM使用磁式充电来储存数据,和现存内存芯片的电子式充电方式不同。与目前市面上的内存芯片相较,MRAM有几项优势:MRAM的价钱可以比标准的计算机内存芯片DRAM来得便宜,且其速度比目前最快的静态内存还快。除此之外,MRAM与使用于移动电话及数字相机的闪存相同,即便关掉电源,储存在其中的数据也不会流失。

由于MRAM所拥有的功能,因此其似乎将可使用于所有的电子装置中,潜在市场广大,而假若IBM与Infineon成功的话,他们将可在内存芯片这块市场中占有一席之地。

關鍵字: MRAM  DRAM  闪存  国际商业机器公司  Infineon Technologies  其他記憶元件 
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