账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2021年09月09日 星期四

浏览人次:【3085】

应用材料公司推出新产品,协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商,从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造,增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量,满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求。

为协助碳化矽晶片产业升级至更大型的200毫米晶圆,应用材料公司推出了Mirra Durum CMP系统。
为协助碳化矽晶片产业升级至更大型的200毫米晶圆,应用材料公司推出了Mirra Durum CMP系统。

由于SiC功率半导体可以高效地将电池功率转化为扭力,并提高电动车的性能和续航能力,因此市场需求极高。和矽比较,SiC本身较为坚硬,其原生缺陷可能会导致电气性能、功率效率、可靠性和产能下降,所以,需要更先进的材料工程技术来优化裸晶圆的生产,并建构对晶格损害最小的电路。

应用材料公司副总裁暨ICAPS (物联网、通讯、汽车、电源和感测器) 事业处总经理桑德‧瑞马摩西 (Sundar Ramamurthy) 表示,为推动电脑革命,晶片制造商转向更大型的晶圆尺寸,来大幅增加晶片产量,以满足不断膨胀的全球需求。如今,受益于应用材料公司在工业规模上先进的材料工程专业知识,我们又将进入另一场革命的先期阶段。

科锐 (Cree) 公司总裁暨执行长Gregg Lowe指出,交通产业电动化呈现不断上升的趋势,我们也正透过Wolfspeed技术,引领全球从矽转换到碳化矽,加速推动此一历史转捩点。在更大型的200毫米晶圆上提供最高效能的碳化矽功率元件后,我们不仅能提高终端客户的价值,还能满足不断成长的需求。

Lowe补充道,应用材料公司支援并加快 Albany 200毫米的制程检定,以及我们Mohawk Valley晶圆厂的多项设备安装,加速了这项转型。此外,应用材料公司ICAPS团队所开发的各种新技术,如热植入 (hot implant) 等,也扩大加深了彼此的技术合作,同时协助我们在功率技术上的发展。

新的200毫米SiC 化学机械研磨(CMP)系统

SiC晶圆的表面品质对SiC元件的制造至关重要,因为晶圆表面的任何缺陷都会移转到后续的系统层中。为了生产表面品质最佳的均匀晶圆,应用材料公司开发了Mirra Durum CMP系统,该系统可以将抛光、材料移除的测量、清洗和干燥整合在同一个系统中。与机械轮磨 (grinding) 的SiC晶圆相比,应用材料公司的新系统可将成品晶圆的表面粗糙度降低50倍,与批次CMP加工系统相较,粗糙度则降低3倍。

制造SiC晶片时,会透过离子植入法将掺质 (dopant) 放置于材料中,协助实现和引导高功率生产电路中的电流流动。但SiC材料的密度和硬度同时也会面临以下极大的制程挑战:掺质的注入、准确置放和启动,以及最大限度减少对晶格的破坏,以避免降低效能和功率效率。应用材料公司150毫米和200毫米SiC晶圆的新型VIISta 900 3D热离子植入系统,可以解决这些挑战。因热植入技术在注入离子时对晶格结构的破坏最小,与常温植入相比,电阻率降低了40倍以上。

關鍵字: SiC  GaN  应用材料 
相关新闻
ST碳化矽数位电源解决方案被肯微科技采用於高效伺服器电源供应器设计
英飞凌携手Worksport 以氮化??降低可携式发电站重量和成本
TI新型功率转换器突破电源设计极限 协助工程师实现更高功率密度
应材Sculpta图案化解决方案 拓展埃米时代晶片制造能力
ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(电感式位置传感器)实现高精度马达控制
» 以霍尔效应电流感测器简化高电压感测
» ESG趋势展??:引领企业迈向绿色未来
» 智慧家居大步走 Matter实现更好体验与可靠连结
» 车载软体数量剧增 SDV硬体平台方兴未艾


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83T81TPZCSTACUKY
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw