东芝公司（Toshiba）半导体与储存产品公司研发新一代TarfSOI（东芝先进的射频绝缘矽（SOI））制程—TaRF8，该制程针对射频（RF）开关应用进行最佳化，实现低插入损耗。采用新制程制造的SP12T射频开关IC适用于智慧型手机，样品出货将于2016年1月启动。

采用新一代TaF8制程制造的样品将于1月开始提供。

SP12T为一款用于行动应用的传输射​​频开关IC，其搭载整合式MIPI-RFFE控制器，适用于3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE 和LTE-Advanced[5]标准。采用东芝新一代制程—东芝拥有专利的、针对射频开关进行了最佳化的SOI-CMOS TarfSOI前端制程—TaRF8制造的产品实现了业界最低插入损耗（0.32db/2.7GHz）。与使用东芝当前TaRF6制程制造的产品相比，其插入损耗提高0.1dB，同时保持相同水准的失真特性。

随着行动通讯趋向于高速率、大容量资料传输，智慧型手机等行动装置所使用的射频开关IC需要多埠支援和更高的射频性能。在这一点上，降低插​​入损耗是一个尤为重要的因素，因为它降低射频传输功率损耗，可支援行动装置具备更长的电池续航时间。

东芝正在研发利用其内部晶圆厂应用SOI-CMOS技术的高性能射频开关IC，SOI-CMOS技术适合于整合式类比和数位电路。透过处理该生产流程的所有方面，从射频制程技术开发到射频开关晶片的设计和制造，东芝可以根据其自己的射频开关IC产品的研发结果回馈迅速改进SOI-CMOS制程技术。这种整合元件制造商（IDM）模式让东芝能够快速建立适合于实际产品的新制程技术，并在市场上推出采用最新制程技术制造的产品。东芝将继续提高其TarfSOI制程技术的性能，并推出产品，努力满足客户和市场对射频开关IC的需求。 （编辑部陈复霞整理）