化学机械研磨(CMP)设备厂商应用材料公司宣布推出两项创新的铜制程技术并与Mirra Mesa系统相互结合。藉以支持半导体客户进行双嵌刻铜导线芯片整合设计的各项需求，利用Mirra Mesa优异的制程控制能力来提供各种具有量产价值以及合乎成本效益的处理技术。

应用材料公司此次推出两项最新的CMP铜制程技术能够将凹陷与腐蚀现象减到最低，使得芯片具有平坦化。在一开始将铜快速磨除之后，紧接着客户便可按照本身的双嵌刻铜导线整合策略来挑选以selective或non-selective制程来进行阻障层薄膜的研磨作业。其中，non-selective制程采用一项突破性技术来清除阻障层薄膜以及诸如USG、FSG以及Black Diamond薄膜等不需另加覆盖层的介电材料；另外，选择性CMP制程的作用则是在另加覆盖层的低k值介电材料应用中，将表层的介电材料予以平面化处理。由于不需要进行额外的IMD介电材料研磨步骤，因此这两种处理方式皆可简化作业流程并降低制造成本。