富士通研究所成功开发在树脂材质的印刷电路板中嵌入相对电容率高达400的BaTiO3膜的技术。能够形成容量密度为300nF/cm2的去耦电容器(Decoupling Capacitor)。过去的技术最高只达到40nF/cm。而除电容器外,还可应用于滤波器和天线等组件。
在树脂底板上嵌入电容器等功能的技术,过去除在服务器底板上应用以外,部分厂商已经将其应用于手机中。这些技术通过在底板中内置薄膜状材料,或将膏状材料印上以后进行烧结,来形成电容器。
富士通使用将粉末状材料混入气体后从喷嘴喷射的粉尘沉积法(AD)来形成陶瓷膜。AD法是日本产业技术综合研究所开发的技术。底板置于减压至5Pa左右的真空腔中。将直径数nm的BaTiO3粉末随同氧气以200m/s的速度喷射到底板上,在底板上形成BaTiO3膜,成膜速度为1μm/分。
一般来说,就是先固定好喷嘴,然后以数mm/s的速度上下左右移动底板,在底板的所有面上成膜。喷射到底板上的粉末在变形后紧密地附着在底板上,因此能够在底板上形成成份与所用粉末完全相同的膜。在形成铜布线的整个底板上,形成膜厚0.5μm~100μm的BaTiO3膜后,通过蚀刻形成电路。反复实施这些步骤,就能实现多层化。
富士通还提高膜厚的均匀性进行改进,以利2007年3月底达到实用水平。