面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點。工研院今（17）日也發表與台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）領先國際。

工研院與台積電合作開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體SOT-MRAM，適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的1%成果領先國際。

其中透過工研院建立深厚的前瞻記憶體研發能量，與晶圓製造龍頭台積電雙方攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM），即由陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的1%成果領先國際。

工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院和台積電繼2023年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發表論文之後，今年更合作開發出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優點的SOT-MRAM單元，展現次世代記憶體技術的研發能量，維持半導體產業地位。

同時結合了電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，並跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應用情境。雙方還將研發成果在「國際電子元件會議」（International Electron Devices Meeting；IEDM）共同發表論文，未來可將此技術應用在高效能運算（High Performance Computing；HPC）、AI人工智慧及車用晶片等領域。