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全球半導體資本支出創歷史新高 2017年將達809億美元
 

【CTIMES/SmartAuto 王明德 報導】   2017年09月04日 星期一

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研調機構IC Insights 預估,今年全球半導體資本支出金額將達809億美元,創下歷史新高;其中,DRAM資本支出將激增53%,是增加幅度最大的產品領域。

IC Insights將今年度半導體資本支出預估金額,自先前的756億美元,調高到809億美元,較去年增加20%,將一舉刷新歷史新高紀錄。
IC Insights將今年度半導體資本支出預估金額,自先前的756億美元,調高到809億美元,較去年增加20%,將一舉刷新歷史新高紀錄。

今年上半年半導體資本支出大幅增加,IC Insights將今年度半導體資本支出預估金額,自先前的756億美元,調高到809億美元,較去年增加20%,將一舉刷新歷史新高紀錄。

IC Insights預估,今年動態隨機存取記憶體(DRAM)資本支出金額將達130億美元,較去年大增53%,將是增加幅度最大的領域;儘管這些支出主要用以推進技術,不過,海力士(SK Hynix)也將增加產能。

儲存型快閃記憶體(NAND Flash)今年資本支出將達190億美元,仍將高於DRAM的水準,也將較去年增加33% ,IC Insights認為,NAND Flash的資本支出將主要投入3D NAND Flash製程技術。

晶圓代工今年資本支出約228億美元,將較去年略增4%,是半導體資本支出金額最多的領域,所占比重將達28%。

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