全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣佈，全球領先的筆電適配器製造商群光電能已採用英飛凌CoolGaN G5電晶體，為其核心客戶提供多款筆電適配器。該設計方案展示了氮化鎵（GaN）功率半導體如何加速向更緊湊、更節能的充電解決方案轉型，從而使主流運算設備實現更小的尺寸和更好的永續性。

/news/2026/03/13/1722578770S.jpg

在新款電源適配器的設計核心，是英飛凌的 CoolGaN G5 氮化鎵功率電晶體，專為在廣泛的工作條件下實現高速開關與低導通損耗而打造。英飛凌的高壓（HV）GaN 電晶體採用名為混合汲極 GIT（閘極注入電晶體）的高效能基礎設計，提供極高可靠性的高壓閘極耐受能力、優異的動態 RDS(on) 與硬開關性能，以及顯著提升的飽和電流，從而帶來最佳的整體可靠性。在此基礎上，英飛凌最新的高壓系列 G5 電晶體的標準性能指標（例如 RDS(on) *Qg）較前代產品可提升高達 30% 的性能。

英飛凌氮化鎵事業線負責人Johannes Schoiswohl表示：「CoolGaN G5 電晶體體現了我們對可靠、高效能功率半導體的承諾。與群光電能在頂尖客戶的電源適配器專案上合作，凸顯了 GaN 如何在不影響可靠性的前提下，為最終使用者帶來切實的效益——更小尺寸、更快充電、以及更低能耗。」

群光電能研發副總裁王洋表示：「英飛凌CoolGaN G5電晶體為我們提供了充足的設計餘量，使我們能夠在緊湊的尺寸內實現更高的功率密度和效率。此次合作協助我們打造出符合筆電客戶對於高端使用者體驗期望的充電解決方案。」

基於群光電能的設計能力和英飛凌高壓G5 GaN電晶體，該方案的工程亮點包括：運用GaN的快速開關特性，優化PFC和DC/DC級的高頻電源架構；充分考慮EMI的設計，透過優化佈局、濾波和開關波形，實現低雜訊並滿足嚴格的電磁相容標準；以及能夠在緊湊型機械外殼中實現更低溫度下的運行，並能夠保持在100-300W持續輸出功率的熱管理優化方案。

英飛凌擁有強大的產品組合，過去一年已發佈逾40款GaN新產品，是對於尋求優質GaN解決方案的客戶來說首選的合作夥伴。公司正按計劃推進GaN 300 mm晶圓規模化製造，首批樣品已交付客戶。300 mm GaN工藝可顯著提升高品質GaN產品的產能和交付速度，進一步鞏固英飛凌在GaN市場的領導地位。