德州儀器（TI）宣佈，其氮化鎵（GaN）技術和 C2000 即時微控制器（MCU），輔以台達的電力電子核心技術，為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器（PSU）。與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相比，台達研發的伺服器電源供應器功率密度可提高80%，效率提升1%。

台達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案，同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統的領導廠商，產品應用範圍廣泛，包括資通訊、電動車充電與工業電源等。TI多年來致力於半導體和電腦相關技術，投入氮化鎵技術的開發、應用已長達十年，更提供 C2000 微控制器等即時控制解決方案，是台達長期合作的重要夥伴。此次TI利用創新的半導體製程製造矽基氮化鎵（GaN-on-silicon）技術與積體電路，協助台達等公司打造差異化應用，提升全球資料中心電源效率。

德州儀器高壓電源事業部副總裁Steve Lambouses表示，德州儀器致力於透過半導體技術使電子產品的價格更加實惠，讓世界更加美好。德儀氮化鎵技術將效率更高、體積更小且更為可靠的解決方案推升至了全新境界。除了投資技術發展之外，TI 對內更是強化製造生產以便為台達以及其他客戶等提供支援，同時也能夠迅速擴展氮化鎵等新興技術的規模。」

台達電源及系統事業群（PSBG）副總裁暨總經理尹鏇博表示，台達多年來專注於提供高能源效率的產品與解決方案，與夥伴及客戶密切合作，以降低碳足跡。這也促使長期與 TI 等業界領先公司合作，持續研發並應用新一代技術。氮化鎵已突破研發門檻，從未來科技轉變為目前可採用的技術，將為電源供應系統帶來新的設計方式，並提高產品效能和功率，尤其適合伺服器電源供應器。目標是使能源效率超越 98%、功率密度突破每立方英寸 100 瓦特（W/inch3）。

整合氮化鎵積體電路可提升效率、功率密度和系統可靠性

‧ 在高壓、高功率工業電源應用方面，TI 的氮化鎵場效電晶體（FET）整合了快速切換驅動器，以及內部保護與溫度感測功能，可在有限電路板空間內達成更高效能表現。。

‧ 積體電路均通過4 千萬小時以上的可靠性測試，及超過 5 百萬千瓦小時的功率轉換測試，為工程師提供嚴謹可靠性數據，並可以氮化鎵打造體積更小、重量更輕、效率更高的電源系統。

‧ TI C2000T 即時微控制器與氮化鎵電源解決方案搭配使用可提供多重優勢，例如複雜與時效性處理能力、精確控制、軟體和周邊產品可擴充性等。此外，這些微控制器可支援不同電源設計拓撲與高切換頻率，盡可能提升電源效率，徹底發揮氮化鎵伺服器電源解決方案的潛力。

TI和台達將於2021年9月27日至29日的TI Live! Tech Exchange共同舉辦主題為〈GaN技術的影響及其對未來工業設計的意義〉的線上技術交流研討會。活動中，TI 專家將展開一系列的專題演講、論壇、技術會議與產品演示，討論電源管理、車用半導體、即時控制、視覺感測與設計趨勢等內容。欲知詳細資訊，請參閱網站ti.com/techexchange。