談到功率半導體市場，我們都知道英飛凌長年居於龍頭地位，當然，在該市場中，TI（德州儀器）也一直以主要供應商自居，在電源管理領域不斷推出新款的解決方案。

TI Broad Market Power副總裁暨總經理Hagop Kozanian

自去年三月，TI推出了以GaN（氮化鎵）為基礎的80V功率模組，而今年五月，更推出了高達600V的整合方案LMG3410，試圖擴大在功率半導體市場的影響力。為了能讓台灣市場更加了解該款產品的重要性與特色，TI也罕見地有高階主管與台灣媒體會面並進行互動。TI Broad Market Power副總裁暨總經理Hagop Kozanian表示，此次所推出GaN 600V方案是將開關元件與驅動晶片加以整合的功率模組，有別於傳統的離散電路設計，對於過電流保護、溫度偵測與管理等，都能有相當出色的表現，當然，有別於傳統矽製程的開關元件，以GaN為基基礎的方案，其開關損耗的表現也優於矽製程。

Hagop Kozanian進一步談到，TI在GaN元件的驗證上，TI花了相當多的時間與資源，再者，由於伺服器領域開始將數位電源設計視為重點，TI相較於其他競爭對手，能夠提供的方案也相對完整許多。鎖定的應用類別，像是伺服器與基地台的AC/DC電源、馬達控制、太陽能逆變器與積架式電源模組等，目前TI也已經提供開發板讓客戶可以進行設計。

然而，我們也知道，功率元件最重要的關鍵之一，在於開關元件的切換頻率，Hagop Kozanian表示，目前在開發板上的LMG3410的切換頻率設定在140kHz，當然，常理而論，其切換頻率要達到1MHz並沒有問題，只是考量到系統層級的設計，才將頻率設定在這樣的水準。

不過，綜觀整體功率半導體市場，除了十分常見以矽製程為主的MOSFET以外，還有IGBT與SiC（碳化矽）等，其中又以IGBT技術成熟度最高，應用也相當普遍，對此，Hagop Kozanian的看法又是如何？Hagop Kozanian強調，切換頻率與封裝技術的表現是TI在該市場十分重視的議題，TI的確也有打算推出更高電壓的GaN產品，但他卻也保守地說，IGBT的確在市場上行之有年，應用層面也相當普及，TI並不認為，GaN會在短期內就取代IGBT，但長期來看，TI抱持著樂觀的態度來看待GaN元件市場的發展。