帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
新思針對台積電N6RF製程 推出最新RF設計流程
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2022年06月23日 星期四

瀏覽人次:【3392】

因應日益複雜的RFIC設計要求,新思科技(Synopsys)宣佈針對台積公司N6RF製程推出最新的RF設計流程,此乃新思科技與安矽斯科技(Ansys)和是德科技(Keysight)共同開發的最先進RF CMOS技術,可大幅提升效能與功耗效率。該流程可協助其共同客戶實現5G晶片的功耗與效能優化,同時加速設計效率,從而加快產品的上市時程。

台積公司設計建構管理處副總經理Suk Lee表示:「我們與新思科技近期的合作著重於新一代無線系統的挑戰,讓設計人員能夠為越來越互聯的世界提供更好的連接、更高的頻寬、更低的延遲(latency)以及更廣的覆蓋範圍(coverage)。有了來自新思科技、安矽斯科技與是德科技緊密整合的高品質解決方案,台積公司全新的針對N6RF製程的設計參考流程提供了一個現代且開放的方法,能提升複雜IC開發的生產效率。」

增強新一代無線系統的頻寬和連接性

由於互聯世界的需求,用於收發器(transceiver)和RF前端元件(front-end component)等無線資料傳輸系統的RFIC 變得日趨複雜。這些新一代無線系統有望在更多連接的裝置上提供更高的頻寬、更低的延遲以及更廣的覆蓋範圍。為了確保RFIC能夠滿足這些要求,設計人員必須準確地衡量RF的效能、頻譜(spectrum)、波長和頻寬等參數。

新的RF設計參考流程採用領先業界的電路模擬、佈局生產效率以及精確的電磁 (EM)建模和電子遷移/IR壓降(electromigration/IR-drop EMIR)分析,可縮短設計周轉時間(turnaround time)。該流程包括了新思科技的Custom Compiler設計和佈局產品、PrimeSim電路模擬產品、StarRC寄生萃取簽核(parasitic extraction signoff)產品與IC Validator物理驗證產品,以及安矽斯科技的 VeloceRF電感元件(inductive component)與傳輸線合成產品、先進的奈米電磁(EM)分析產品RaptorX和RaptorH,以及Totem-SC,此外還有是德科技用於 EM 模擬的 PathWave RFPro。

新思科技工程副總裁Aveek Sarkar說道:「為了實現 5G 設計的關鍵差異化優勢,新思科技持續帶來強大的 RF 設計解決方案,其整合了電磁合成(electromagnetic synthesis)、萃取、設計、佈局、簽核技術和模擬工作流程。由於我們與台積公司的深入合作,加上與安矽斯科技和是德科技的堅實關係,因此客戶得以使用新思客製化設計系列的先進功能,運用台積公司針對5G應用的先進N6RF技術,提高生產力並實現矽晶成功。」

是德科技副總裁暨PathWave軟體解決方案總經理Niels Fache表示:「RF 設計的客戶可受惠於台積公司參考流程中新思Custom Compiler與是德PathWave RFPro的交互操作性(interoperability)。在設計過程中將電磁共同模擬(co-simulation)向左遷移,可讓RF電路設計人員針對 5G 和 WiFi 6/6E 應用的先進晶片和多技術模組中的寄生效應(parasitic effects)進行優化。如此一來在模擬工作流程的環節上可省下數天甚至數周的時間,同時降低產品開發週期中重新流片(re-spin)的高昂風險。我們與新思科技和台積公司的合作提供RF客戶所需的設計工具和先進的製程技術,能確保高效能並一次完成矽晶設計(first-pass success)。」

安矽斯科技研發部副總裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示:「安矽斯科技很高興能與新思科技和台積公司合作,一同開發用於RFIC設計的先進參考流程。5G和6G設計的需求增長帶動了晶片的高度複雜性,伴隨奈米節點的先進製程效果,使RFIC設計人員面臨著巨大的挑戰。在EM和EMIR分析中精準地進行先進製程效果的建模對於建立一次完成矽晶設計(從DC至數十GHz運作範圍)非常重要。安矽斯的VeloceRF、RaptorX、Exalto 和 Totem-SC 等工具可與新思的Custom Complier平台無縫運作,能夠處理最具挑戰性的設計,並能針對所有先進製程效果進行建模。這些工具能為RF設計模塊的設計、優化和驗證提供直觀且易於使用的流程。」

關鍵字: RFIC  5G  新思科技 
相關新聞
攸泰科技躍上2024 APSCC國際舞台 宣揚台灣科技競爭力
安立知獲得GCF認證 支援LTE和5G下一代eCall測試用例
新思科技與台積電合作 實現數兆級電晶體AI與多晶粒晶片設計
工研院通訊大賽獲獎名單出爐 AI創新應用助2025年通訊業產值破兆
是德科技推動Pegatron 5G最佳化Open RAN功耗效率
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» STM32MP25系列MPU加速邊緣AI應用發展 開啟嵌入式智慧新時代
» STM32 MCU產品線再添新成員 STM32H7R/S與STM32U0各擅勝場
» STM32WBA系列推動物聯網發展 多協定無線連接成效率關鍵
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.135.182.13
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw