松下電器半導體（PSCS）已與聯華電子（UMC）達成一項協議，雙方將合作開發新一代40nm 可變電阻式記憶體(ReRAM)的量產製程。

松下電器半導體與聯華電子達成協議，雙方將合作開發新一代40nm 可變電阻式記憶體(ReRAM)的量產製程。

ReRAM與目前廣泛應用的快閃記憶體十分相似，是一種非揮發性記憶體。該元件結構簡單，具有高速處理和低功耗的特點。2013年，PSCS啟動了ReRAM的量產，當時採用的是180nm製程，目前公司針對可攜式醫療設備等低功耗應用提供8位元單晶片MN101LR系列。之前，PSCS是首家利用40nm製程測試和驗證記憶體陣列的高可靠性的公司。

雙方商定的合作計畫將實現PSCS 40nm ReRAM製程技術與UMC高可靠性CMOS製程技術的整合。隨著嵌入式記憶體逐漸替代快閃記憶體，該合作計畫將實現一個適用於各種系統元件的ReRAM製程平臺，例如，廣泛應用於IC卡、穿戴式終端機和物聯網設備的系統元件。

PSCS將於2018年交付採用全新40nm製程的樣品，屆時，其將成為業界首家啟動量產的公司。PSCS和UMC將為世界各地的其他半導體製造商和供應商提供雙方聯合開發的ReRAM製程平臺。

談到這項合作計畫時，PSCS總裁Kazuhiro Koyama表示：「PSCS已在業界率先啟動ReRAM的量產，而擴展的製程平臺的開發將加速ReRAM的市場佔有率，從而有效地幫助公司提供廣泛的最佳產品來滿足客戶需求。」

UMC資深副總裁S.C. Chien表示：「我們非常高興與松下達成這一代工協議。我們40nm製程業已證實的可靠性、快速周轉時間以及高產量，將為松下的ReRAM帶來新的競爭力。隨著該產品獲得廣泛的市場接受度，該製程將使雙方實現雙贏。我們期待與松下合作，幫助他們實現40nm ReRAM的量產。」