CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電RAM (FeRAM)定位為先進節點的競爭性記憶體解決方案。

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目前的嵌入式FeRAM產品使用PZT等鈣鈦礦材料，這些材料與CMOS不相容，且無法擴展到130奈米以下的技術節點。在與CMOS相容且可擴展的HfO2基薄膜中發現鐵電性，為嵌入式FeRAM開闢了新的可能性，但先前的研發成果僅在130奈米節點發表。透過將Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) FeRAM技術推進到22奈米FD-SOI節點，本次展示為物聯網、行動裝置和邊緣運算等嵌入式系統中更快、更節能且更具成本效益的記憶體解決方案打開了大門。

「FD-SOI技術以其低功耗能力而聞名，使其非常適合FeRAM，FeRAM本質上是位元單元級別最節能的記憶體技術」該論文的兩位主要貢獻者Simon Martin和Laurent Grenouillet解釋道。

「縮小到22奈米需要製造功能性低至0.0028μm2的2D鐵電電容以及3D鐵電電容，同時保持HZO薄膜結晶的相對較低的熱預算。」

該研究所將加速HZO FeRAM的研發，並計劃展示比靜態隨機存取記憶體(SRAM)更小的嵌入式Mbit記憶體陣列。這些記憶體陣列的工作電壓約為1V，並具有高存取速率，適用於需要非揮發性的超低功耗應用程式。