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英飞凌发表 30 W- 500 W 功率级应用的 CoolGaN IPS 系列产品
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2021年05月06日 星期四

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采用氮化?? (GaN) 这类宽能隙 (WBG) 材料制成的功率开关凭藉其优异效率及高速切换频率,开启了功率电子的新时代。因应此一发展,英飞凌科技推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN IPS 系列,成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品,目标市场为低功率至中功率的应用,例如充电器、适配器以及交换式电源供应器 (SMPS)。

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代表产品 600 V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为 8x8 QFN-28 封装型式,针对散热效能进行强化,可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增?型 (e-mode) HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER系列中的电气隔离专用高低侧闸极驱动器。

隔离闸极驱动器拥有两个数位 PWM 输入,让 IGI60F1414A1L 更易於控制。为了达到缩短开发时间、减少系统物料清单项目和降低总成本等目标,举凡整合隔离功能、明确分隔数位和电源接地以及简化 PCB 配置等,皆是不可或缺的要素。闸极驱动器采用英飞凌的单晶片无芯变压器 (CT) 技术,将输入与输出有效隔离。即便在电压斜率超过 150 V/ns 的超快速切换暂态下,仍可确保高速特性和杰出稳定的表现。

IGI60F1414A1L 的切换行为可以简易地藉由一些闸极路径的被动元件实现在不同的应用上。例如,此特性可使摆率最隹化,以降低电磁干扰 (EMI) 效应、稳态闸极电流调整和负闸极电压驱动,在硬切换开关应用中展现稳定运转。

此外,系统级封装整合和闸极驱动器具备的高准确度和稳定的传输延迟,可让 IGI60F1414A1L 提供最低的系统死区时间。这将有助於系统效率极大化,使充电器和适配器解决方案的功率密度提升至更高水准,达到 35 W/in3。弹性、简单及快速的设计特色,也适用於如 LLC 谐振拓扑结构、马达驱动器等其他应用。

關鍵字: GaN  Infineon 
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