半导体制造商ROHM针对企业级高性能伺服器和AI伺服器电源，推出实现业界顶级导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET。

业界顶级超低导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET

新产品共计3款机型，包括非常适用於企业级高性能伺服器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热??拔控制器（HSC）电路的「RS7E200BG（30V）」，以及非常适用於AI伺服器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的「RS7N200BH（80V）」和「RS7N160BH（80V）」。

新产品采用了新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与传统HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的晶片可用面积增加了约65%。因此新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界顶级导通电阻，30V产品「RS7E200BG」的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品「RS7N200BH」仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助提高伺服器电源电路的效率。

另外透过优化封装内部的夹片(Clip)形状设计，提高了散热性能，同时亦提高了有助确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品「RS7E200BG」，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与传统HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界顶级SOA范围。

新产品已经暂以每月100万个的规模投入量产（样品价格：710日元/个，未税）。前段制程的生产据点2 / 3 为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），後段制程的生产据点为OSAT（泰国），并已开始透过电商平台销售。

ROHM计画在2025年内逐步实现量产可支援AI伺服器热??拔控制器电路应用的功率MOSFET。今後ROHM将继续扩大产品阵容，为应用的高效运行和高可靠性贡献力量。