帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2022年01月27日 星期四

瀏覽人次:【2143】

東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品,與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容。

東芝推出兩款1200V和1700V碳化矽MOSFET雙模組,幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備。(source:Toshiba)
東芝推出兩款1200V和1700V碳化矽MOSFET雙模組,幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備。(source:Toshiba)

新模組的安裝方式能夠與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足工業設備對更高效率和更小尺寸的需求,適合於軌道車輛的逆變器和轉換器、可再生能源發電系統、馬達控制設備及高頻DC-DC轉換器應用。

關鍵字: MOSFET模組  碳化矽  工業設備  東芝(Toshiba
相關產品
東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關
東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化
東芝推出600V小型智慧功率元件適用於無刷直流馬達驅動
東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率
Toshiba小型光繼電器高速導通效能有助於縮短半導體測試時間
  相關新聞
» 工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量
» 安立知以全方位無線通訊方案引領探索6G時代
» 再生能源成長創新高 但發展程度並不平均
» 意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力
» Pure Storage攜手NVIDIA加快企業AI導入 以滿足日益成長的需求
  相關文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制
» 以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 智慧家居大步走 Matter實現更好體驗與可靠連結
» 車載軟體數量劇增 SDV硬體平台方興未艾

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.34.201.122.150
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw