半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模组「HSDIP20」。该系列产品非常适用於xEV（电动车）车载充电器（以下简称 OBC）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01），和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。透过将各种大功率应用的电路所需的基本电路汇集到小型模组封装中，可有效减少客户端的设计工时，并有助实现OBC等应用中，电力变换电路的小型化。

ROHM推出高功率密度新型SiC模组 助力车载充电器OBC实现小型化

HSDIP20内建散热性能优异的绝缘基板，即使大功率工作时也可有效抑制晶片的温度升高。事实上在OBC常用的PFC电路（采用6颗SiC MOSFET）中，使用6颗顶部散热型Discrete元件，与使用1颗6in1结构的HSDIP20模组在相同条件下进行比较後发现，HSDIP20的温度比Discrete结构降低了约38℃（25W工作时）。上述出色的散热性能使该产品能以极小的封装对应大电流需求。另外与顶面散热型Discrete元件相比，HSDIP20的电流密度达到3倍以上；与同类型DIP模组相比，电流密度高达1.4倍以上，达到业界顶级※水准。因此在上述PFC电路中，HSDIP20的安装面积与顶面散热型Discrete元件相比可减少约52％，非常有利实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。

新产品已於2025年4月开始暂以每月10万个的规模投入量产（样品价格15,000日元/个，未税）。前段制程的生产据点为ROHM Apollo CO., LTD.（日本福冈县筑後工厂）和LAPIS半导体宫崎工厂（日本宫崎县），後段制程的生产据点为ROHM Integrated Systems（Thailand）Co., Ltd.（泰国）。