英飞凌科技推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半桥和共发射极模组产品组合。模组的最大电流规格高达 800A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。新型模组专为满足集中式太阳能逆变器以及工业马达驱动和不断电供应系统（UPS）的需求而开发。此外，它还广泛适用於电动汽车充电桩、储能系统（ESS）和其他新型工业应用。

以高度灵活性满足高功率密度和性能需求，英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合

基於新型微沟槽技术，搭载 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 晶片的62mm 模组系列的静态损耗远远低於搭载 IGBT4 晶片组的模组。这些特性大大降低了应用中的损耗，在以中等开关频率工作的工业马达驱动中尤为显着。IGBT 的振荡行为和可控性也得到了提升。此外，全新功率模组的最大超载接面温度为 175℃。

坚固的镀镍铜底板和螺母主端子确保了 62mm模组封装具有足够的机械强度。主端子位於封装中央，由於其直流链路连接电感较低，因此非常适合并联电路和三电平拓扑配置。标准的封装设计和尺寸使得该系列能够相容此前的模组版本。此外，所有模组均可使用英飞凌经过验证的预涂热介面材料（TIM）。