三星电子日前发表新款8Gb OneNAND芯片，是利用30奈米级的制程技术完成，由于多元的应用软件与大量多媒体软件的使用日渐增长，创造了智能型手机需要更多程序数据储存的趋势，基于单层式（SLC）NAND flash设计的全新高密度OneNAND则可满足此需求。此款高密度OneNAND内存已开始提供样品，并计划于这个月末开始量产。

三星电子 - NAND内存

此产品8Gb OneNAND拥有SLC设计的可靠性，以及经过市场证明OneNAND效能，可以每秒70 MB的速度读取数据，是过去传统NAND读取速度（每秒17MB）的4倍以上。这些特色与低电压设计使其成为一个特别具吸引力的解决方案，可处理来自使用触控屏幕与其他高分辨率智能型手机功能时的大量程序数据。此外，透过应用先进的30奈米级制程技术，相较于以往40奈米级的设计，三星得已提高40%的生产力。

由于其比NAND更快速的写入速度，OneNAND内存在系统中「写入」时可被当作缓冲存储器，并由于其NOR flash接口，亦可以做为更快速与高效能「读取」运算时的缓冲。根据市场研究机构iSuppli的报告，预估2010年嵌入式NAND flash在移动电话市场的需求将达到11亿颗（约当1GB），到2011年将成长两倍以上，达到25亿颗（约当1GB）。