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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2023年11月07日 星期二

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全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件。新元件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性取代市场上主流的代工e-mode氮化??所缺乏的可靠性。

Transphorm推出三款TOLL封装的SuperGaN FET,为SMD高功率系统带来SuperGaN的常闭型平台优势,可实现更高的可靠性和性能,并产生较低的热量。
Transphorm推出三款TOLL封装的SuperGaN FET,为SMD高功率系统带来SuperGaN的常闭型平台优势,可实现更高的可靠性和性能,并产生较低的热量。

这三款表面贴装型器件(SMD)可支援平均运行功率范围为1至3千瓦的较高功率应用,这样的电力系统常用於高性能领域,如运算(人工智慧(AI)、伺服器、电信、资料中心)、能源和工业(光伏逆变器、伺服电机)以及其他广泛的工业市场。目前,氮化??在这一市场领域的全球潜在市场规模(TAM)达25亿美元。值得关注的是,该新型功率元件是目前快速发展的AI系统最隹化解决方案,AI系统依赖於GPU,而GPU的功耗是传统CPU的10到15倍。

目前,各种高性能领域的主流客户开始采用Transphorm的高功率氮化??元件,为其高性能系统提供电力支援,应用领域包括资料中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等。新型TOLL封装器件也能够用於电动汽车的DC-DC转换器和车载充电器应用,因为核心SuperGaN晶片已通过汽车行业(AEC-Q101)标准认证。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封装类型,提供广泛的封装选择,以满足客户的不同设计需求。该TOLL封装器件利用Transphorm常闭型d-mode SuperGaN平台所固有的性能和可靠性优势。

该650V SuperGaN TOLL封装元件性能稳健,并且已获得JEDEC资格认证。由於常闭型d-mode平台是将GaN HEMT与低电压矽管配对,因此,SuperGaN FET可以简单的选择使用常用市售栅极驱动,应用於各种软/硬开关的AC-DC、DC-DC和DC-AC拓扑中,提高功率密度,同时减小系统尺寸、重量和总成本。

SuperGaN TOLL封装元件目前可提供样品。

關鍵字: SuperGaN FET  Transphorm 
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