三星电子（Samsung）日前发表一款多芯片封装 （multi-chip package; MCP）的PRAM，将在本季度稍晚专门提供给移动电话设计使用。

图为Samsung多芯片封装的PRAM BigPic:367x240

此款三星的512Mb MCP PRAM与40奈米级NOR Flash的软硬件功能皆兼容，此MCP亦可完全兼容于以往独立式 （stand-alone）PRAM芯片技术，可带给移动电话设计人员相当的便利性。预计在明年之前，PRAM将被广泛的接受，并成为在NOR Flash之后消费性电子设计使用的主要内存技术。

三星电子内存业务营销部门副董事长Dong-soo Jun表示，透过先进MCP 解决方案而完成的PRAM不只能让移动电话设计人员善用传统的平台，并可进一步促进LPDDR2 DRAM与下一代PRAM技术的推出。

PRAM是透过其由锗、锑、钛合成的材料之相变特性来储存数据数据，相较于NOR芯片，可提供快三倍的数据储存效能。此款新的MCP PRAM内存结合了闪存的非挥发性特质与DRAM的快速能力。其简单的组件

构造可令设计手机专用MCP芯片的过程变得更快速、更容易，并且透过运用30奈米级等更先进的制程技术，克服NOR flash技术长期以来所存在的设计难题。

作为NOR的替代技术，PRAM更能轻易地满足手机与其他行动装置对于快速、高密度非挥发性内存的需求，例如MP3、个人多媒体播放器与导航装置。三星持续的投入PRAM与其他先进内存芯片的研发，以完成更快速的“写入”功能，可以减少在拍摄相片、提供多媒体讯息与录制影像时数据储存所需的待机时间。快速写入功能对于数字储存与消费性电子装置

的产品多元延伸是很重要的，例如固态硬盘（SSD）与高画质电视。